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NCV360SNT1G

更新时间: 2024-02-22 19:55:16
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安森美 - ONSEMI 驱动外围驱动器驱动程序和接口
页数 文件大小 规格书
10页 351K
描述
过电压保护电路,USB 正向,带内部 PMOS FET 和状态标志

NCV360SNT1G 技术参数

是否无铅:不含铅生命周期:Active
零件包装代码:DFN包装说明:2 X 2 MM, 0.65 MM PITCH, LEAD FREE, UDFN-6
针数:6Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.6Is Samacsys:N
内置保护:TRANSIENT; OVER VOLTAGE; THERMAL; UNDER VOLTAGE接口集成电路类型:BUFFER OR INVERTER BASED PERIPHERAL DRIVER
JESD-30 代码:S-XDSO-N6JESD-609代码:e3
长度:2 mm湿度敏感等级:NOT SPECIFIED
功能数量:1端子数量:6
最高工作温度:85 °C最低工作温度:-40 °C
输出电流流向:SINK封装主体材料:UNSPECIFIED
封装代码:HVSON封装形状:SQUARE
封装形式:SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
认证状态:COMMERCIAL座面最大高度:0.55 mm
最大供电电压:20 V最小供电电压:1.2 V
标称供电电压:5 V表面贴装:YES
温度等级:INDUSTRIAL端子面层:MATTE TIN
端子形式:NO LEAD端子节距:0.65 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
断开时间:1.5 µs宽度:2 mm
Base Number Matches:1

NCV360SNT1G 数据手册

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NCP360  
TYPICAL OPERATING CHARACTERISTICS  
450  
400  
350  
300  
250  
200  
150  
V
= 3.6 V  
= 5 V  
in  
V
in  
100  
50  
0
-50  
0
50  
TEMPERATURE (°C)  
100  
150  
Figure 15. Direct Output Short Circuit  
Figure 16. RDS(on) vs. Temperature  
(Load = 500 mA)  
180  
160  
140  
120  
100  
80  
125°C  
25°C  
60  
40  
20  
0
-40 °C  
1
3
5
7
9
11 13 15  
17 19 21  
V , INPUT VOLTAGE (V)  
in  
Figure 17. Supply Quiescent Current vs. Vin  
http://onsemi.com  
7
 

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