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NAND512R3M0AZBE

更新时间： 2024-02-03 18:06:03
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 内存集成电路
页数 文件大小 规格书
22页 200K
描述
SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA107, 10.50 X 13 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, TFBGA-107

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NAND512R3M0AZBE 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
零件包装代码：BGA包装说明：10.50 X 13 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, TFBGA-107
针数：107Reach Compliance Code：compliant
HTS代码：8542.32.00.71风险等级：5.26
JESD-30 代码：R-PBGA-B107长度：13 mm
内存密度：536870912 bit内存集成电路类型：MEMORY CIRCUIT
内存宽度：8功能数量：1
端子数量：107字数：67108864 words
字数代码：64000000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-30 °C
组织：64MX8封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TFBGA封装形状：RECTANGULAR
封装形式：GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH峰值回流温度（摄氏度）：260
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)：1.95 V最小供电电压 (Vsup)：1.7 V
标称供电电压 (Vsup)：1.8 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：OTHER
端子形式：BALL端子节距：0.8 mm
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：40
宽度：10.5 mmBase Number Matches：1

NAND512R3M0AZBE 数据手册

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NAND256-M  
NAND512-M, NAND01G-M  
256/512Mb/1Gb (x8/x16, 1.8/3V, 528 Byte Page) NAND  
Flash Memories + 256/512Mb (x16/x32, 1.8V) LPSDRAM, MCP  
PRELIMINARY DATA  
Feature summary  
■ Multi-Chip Packages  
FBGA  
– 1 die of 256 Mb, 512 Mb (x8/ x16) NAND  
Flash + 1 die of 256 Mb (x16) SDR  
LPSDRAM  
– 1 die of 256 Mb, 512 Mb (x8/ x16) NAND  
Flash + 2 dice of 256 Mb (x16) SDR  
LPSDRAMs  
TFBGA107 10.5 x 13 x 1.2mm  
TFBGA149 10 x 13.5 x 1.2mm  
LFBGA137 10.5 x 13 x 1.4mm  
– 1 die of 256 Mb, 512 Mb (x8/ x16) NAND  
Flash +1 die of 256 Mb (x16) DDR  
LPSDRAM  
– 1 die of 512 Mb (x16) NAND Flash + 1 die  
of 256 Mb or 512 Mb (x16) DDR LPSDRAM  
■ Fast Block Erase  
■ Supply voltages  
– Block erase time: 2ms (typ)  
– VDDF = 1.7V to 1.95V or 2.5V to 3.6V  
– VDDD = VDDQD = 1.7V to 1.9V  
■ Status Register  
■ Data integrity  
■ Electronic Signature  
■ ECOPACK® packages  
– 100,000 Program/Erase cycles  
– 10 years Data Retention  
■ Temperature range  
LPSDRAM  
– -30 to 85°C  
■ Interface: x16 bus width  
■ Deep Power Down mode  
■ 1.8v LVCMOS interface  
Flash Memory  
■ NAND Interface  
– x8 or x16 bus width  
– Multiplexed Address/ Data  
■ Quad internal Banks controlled by BA0 and  
BA1  
■ Page size  
■ Automatic and controlled Precharge  
– x8 device: (512 + 16 spare) Bytes  
– x16 device: (256 + 8 spare) Words  
■ Auto Refresh and Self Refresh  
– 8,192 Refresh cycles/64ms  
■ Block size  
– Programmable Partial Array Self Refresh  
– x8 device: (16K + 512 spare) Bytes  
– x16 device: (8K + 256 spare) Words  
– Auto Temperature Compensated Self  
Refresh  
■ Page Read/Program  
■ Wrap sequence: sequential/interleave  
– Random access: 12µs (max)  
– Sequential access: 50ns (min)  
– Page program time: 200µs (typ)  
■ Burst Termination by Burst Stop command and  
Precharge command  
■ Copy Back Program mode  
– Fast page copy without external buffering  
May 2006  
Rev 4  
1/22  
This is preliminary information on a new product now in development or undergoing evaluation. Details are subject to  
change without notice.  
www.st.com  
2
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NAND512R3M0AZC5E STMICROELECTRONICS

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 		256/512Mb/1Gb (x8/x16, 1.8/3V, 528 Byte Page) NAND Flash Memories + 256/512Mb (x16/x32, 1.
NAND512R3M0AZC5F STMICROELECTRONICS

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 		256/512Mb/1Gb (x8/x16, 1.8/3V, 528 Byte Page) NAND Flash Memories + 256/512Mb (x16/x32, 1.
NAND512R3M0BZB5E STMICROELECTRONICS

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 		256/512Mb/1Gb (x8/x16, 1.8/3V, 528 Byte Page) NAND Flash Memories + 256/512Mb (x16/x32, 1.
NAND512R3M0BZB5F STMICROELECTRONICS

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 		256/512Mb/1Gb (x8/x16, 1.8/3V, 528 Byte Page) NAND Flash Memories + 256/512Mb (x16/x32, 1.
NAND512R3M0BZBE STMICROELECTRONICS

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 		SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA107, 10.50 X 13 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE
NAND512R3M0BZBF STMICROELECTRONICS

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 		SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA107, 10.50 X 13 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE
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 		256/512Mb/1Gb (x8/x16, 1.8/3V, 528 Byte Page) NAND Flash Memories + 256/512Mb (x16/x32, 1.
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 		256/512Mb/1Gb (x8/x16, 1.8/3V, 528 Byte Page) NAND Flash Memories + 256/512Mb (x16/x32, 1.

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