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N8X350N

更新时间: 2024-09-29 20:00:19
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恩智浦 - NXP 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
5页 154K
描述
IC 256 X 8 STANDARD SRAM, PDIP22, Static RAM

N8X350N 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:DIP, DIP22,.4Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.41
风险等级:5.92JESD-30 代码:R-PDIP-T22
JESD-609代码:e0内存密度:2048 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:8
功能数量:1端口数量:1
端子数量:22字数:256 words
字数代码:256工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:75 °C最低工作温度:
组织:256X8输出特性:3-STATE
可输出:NO封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:DIP封装等效代码:DIP22,.4
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
并行/串行:PARALLEL峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
电源:5 V认证状态:Not Qualified
子类别:SRAMs最大压摆率:0.185 mA
最大供电电压 (Vsup):5.25 V最小供电电压 (Vsup):4.75 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:NO
技术:TTL温度等级:COMMERCIAL EXTENDED
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:THROUGH-HOLE
端子节距:2.54 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

N8X350N 数据手册

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