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N82C08-10

更新时间: 2024-01-17 05:18:25
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其他 - ETC 外围集成电路动态存储器控制器时钟
页数 文件大小 规格书
29页 1110K
描述
DRAM Controller

N82C08-10 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Contact Manufacturer零件包装代码:LCC
包装说明:QCCJ,针数:68
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.76
Is Samacsys:N其他特性:5 PROGRAMMABLE REFRESH MODES
地址总线宽度:18边界扫描:NO
总线兼容性:IAPX86; IAPX88; IAPX186; IAPX188外部数据总线宽度:
JESD-30 代码:S-PQCC-J68JESD-609代码:e0
长度:24.2 mm低功率模式:YES
内存组织:1M X 8区块数量:2
端子数量:68最高工作温度:70 °C
最低工作温度:封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:QCCJ封装形状:SQUARE
封装形式:CHIP CARRIER峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
认证状态:Not Qualified座面最大高度:4.83 mm
最大供电电压:5.5 V最小供电电压:4.5 V
标称供电电压:5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:TIN LEAD端子形式:J BEND
端子节距:1.27 mm端子位置:QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED宽度:24.2 mm
uPs/uCs/外围集成电路类型:MEMORY CONTROLLER, DRAMBase Number Matches:1

N82C08-10 数据手册

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