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N82C08-8

更新时间: 2024-02-04 18:57:05
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其他 - ETC 外围集成电路动态存储器控制器时钟
页数 文件大小 规格书
29页 1110K
描述
DRAM Controller

N82C08-8 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:LCC
包装说明:QCCJ,针数:68
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.89
其他特性:5 PROGRAMMABLE REFRESH MODES地址总线宽度:18
边界扫描:NO总线兼容性:IAPX86; IAPX88; IAPX186; IAPX188
外部数据总线宽度:JESD-30 代码:S-PQCC-J68
JESD-609代码:e0长度:24.2 mm
低功率模式:YES内存组织:1M X 8
区块数量:2端子数量:68
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:QCCJ
封装形状:SQUARE封装形式:CHIP CARRIER
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED认证状态:Not Qualified
座面最大高度:4.83 mm最大供电电压:5.5 V
最小供电电压:4.5 V标称供电电压:5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:TIN LEAD
端子形式:J BEND端子节距:1.27 mm
端子位置:QUAD处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
宽度:24.2 mmuPs/uCs/外围集成电路类型:MEMORY CONTROLLER, DRAM

N82C08-8 数据手册

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