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N750CH32HOO

更新时间: 2024-02-09 17:23:31
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IXYS 栅极
页数 文件大小 规格书
3页 425K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 3414.75A I(T)RMS, 3700000mA I(T), 3200V V(DRM), 3200V V(RRM), 1 Element

N750CH32HOO 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:DISK BUTTON, O-CEDB-N2
Reach Compliance Code:unknownHTS代码:8541.30.00.80
风险等级:5.84Is Samacsys:N
其他特性:HIGH RELIABILITY配置:SINGLE
关态电压最小值的临界上升速率:400 V/us最大直流栅极触发电流:350 mA
最大直流栅极触发电压:4 V最大维持电流:1000 mA
JESD-30 代码:O-CEDB-N2最大漏电流:200 mA
通态非重复峰值电流:28000 A元件数量:1
端子数量:2最大通态电流:3700000 A
最高工作温度:125 °C最低工作温度:-40 °C
封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状:ROUND
封装形式:DISK BUTTON认证状态:Not Qualified
最大均方根通态电流:3414.75 A重复峰值关态漏电流最大值:200000 µA
断态重复峰值电压:3200 V重复峰值反向电压:3200 V
子类别:Silicon Controlled Rectifiers表面贴装:YES
端子形式:NO LEAD端子位置:END
触发设备类型:SCRBase Number Matches:1

N750CH32HOO 数据手册

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