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N0400P-ZK-E2-AYNote

更新时间： 2022-02-26 12:28:50

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瑞萨 - RENESAS		/
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MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

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N0400P

Chapter Title

Typical Characteristics (TA = 25°C)

DERATING FACTOR OF FORWARD BIAS

SAFE OPERATING AREA

TOTAL POWER DISSIPATION vs.

CASE TEMPERATURE

120

100

20 40 60 80 100 120 140 160

T^C- Case Temperature - °C

FORWARD BIAS SAFE OPERATING AREA

-100

-10

I_{D(pul se)}

D(DC)

-1

-0.1

= 25

°C

Single Pulse

-0.01

-0.1

-1

-10

-100

V^DS- Drain to Source Voltage - V

TRANSIENT THERMAL RESISTANCE vs. PULSE WIDTH

1000

100

Rth(ch-A) = 125°C/W

Rth(ch-C) = 5.0°C/W

0.1

Single Pulse

100 1000

0.01

100 μ

1 m

10 m

100 m

PW - Pulse Width - s

R07DS0500EJ0200 Rev.2.00

Aug 19, 2011

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