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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TSOP1 |
| 包装说明： | GREEN, TSOP1-32 | 针数： | 32 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | 3A991.B.2.A |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.83 |
| 最长访问时间： | 70 ns | I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G32 | 长度： | 18.4 mm |
| 内存密度： | 2097152 bit | 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM |
| 内存宽度： | 8 | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 32 | 字数： | 262144 words |
| 字数代码： | 256000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 85 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 组织： | 256KX8 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | TSOP1 |
| 封装等效代码： | TSSOP32,.8,20 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 电源： | 2.5/3.3 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 1.25 mm |
| 最大待机电流： | 0.00001 A | 最小待机电流： | 1.8 V |
| 子类别： | SRAMs | 最大压摆率： | 0.016 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 2.3 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 3 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | INDUSTRIAL |
| 端子形式： | GULL WING | 端子节距： | 0.5 mm |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 宽度： | 8 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| N02L083WC2AT-55I | NANOAMP | Standard SRAM, 256KX8, 55ns, CMOS, PDSO32 |
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| N02L1618C1A | NANOAMP | 2Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 128Kx16 bit |
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| N02L1618C1AB | NANOAMP | 2Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 128Kx16 bit |
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| N02L1618C1AB2 | NANOAMP | 2Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 128Kx16 bit |
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| N02L1618C1AB2-70I | NANOAMP | 2Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 128Kx16 bit |
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| N02L1618C1AB2-85I | AMI | Standard SRAM, 128KX16, 85ns, CMOS, PBGA48, GREEN, BGA-48 |
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