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N02L1618C1AB-70I

更新时间： 2024-09-17 02:54:03
品牌 Logo 应用领域
NANOAMP 存储内存集成电路静态存储器
页数 文件大小 规格书
11页 263K
描述
2Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 128Kx16 bit

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N02L1618C1AB-70I 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Contact Manufacturer
包装说明：FBGA, BGA48,6X8,30Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.88Is Samacsys：N
最长访问时间：70 nsI/O 类型：COMMON
JESD-30 代码：R-PBGA-B48内存密度：2097152 bit
内存集成电路类型：STANDARD SRAM内存宽度：16
端子数量：48字数：131072 words
字数代码：128000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
组织：128KX16输出特性：3-STATE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：FBGA
封装等效代码：BGA48,6X8,30封装形状：RECTANGULAR
封装形式：GRID ARRAY, FINE PITCH并行/串行：PARALLEL
电源：1.8/2 V认证状态：Not Qualified
最大待机电流：0.000005 A最小待机电流：1.2 V
子类别：SRAMs最大压摆率：0.017 mA
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子形式：BALL
端子节距：0.75 mm端子位置：BOTTOM
Base Number Matches：1

N02L1618C1AB-70I 数据手册

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NanoAmp Solutions, Inc.  
N02L1618C1A  
670 North McCarthy Blvd. Suite 220, Milpitas, CA 95035  
ph: 408-935-7777, FAX: 408-935-7770  
www.nanoamp.com  
Advance Information  
2Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM  
128Kx16 bit  
Overview  
Features  
The N02L1618C1A is an integrated memory  
device containing a 2 Mbit Static Random Access  
Memory organized as 131,072 words by 16 bits.  
The device is designed and fabricated using  
NanoAmp’s advanced CMOS technology to  
provide both high-speed performance and ultra-low  
power. The base design is the same as  
• Single Wide Power Supply Range  
1.65 to 2.2 Volts  
• Very low standby current  
0.5µA at 1.8V (Typical)  
• Very low operating current  
1.4mA at 1.8V and 1µs (Typical)  
NanoAmp’s N02L163WN1A, which is processed to  
operate at higher voltages. The device operates  
with a single chip enable (CE) control and output  
enable (OE) to allow for easy memory expansion.  
Byte controls (UB and LB) allow the upper and  
lower bytes to be accessed independently. The  
N02L1618C1A is optimal for various applications  
where low-power is critical such as battery backup  
and hand-held devices. The device can operate  
• Very low Page Mode operating current  
0.5mA at 1.8V and 1µs (Typical)  
• Simple memory control  
Single Chip Enable (CE)  
Byte control for independent byte operation  
Output Enable (OE) for memory expansion  
• Low voltage data retention  
Vcc = 1.2V  
o
• Very fast output enable access time  
over a very wide temperature range of -40 C to  
30ns OE access time  
o
+85 C and is available in JEDEC standard  
• Automatic power down to standby mode  
• TTL compatible three-state output driver  
packages compatible with other standard 128Kb x  
16 SRAMs.  
• Compact space saving BGA package avail-  
able  
Product Family  
Standby  
Power  
Supply  
(Vcc)  
Operating  
Current (Icc),  
Max  
Operating  
Current (ISB),  
Part Number  
Package Type  
Speed  
Temperature  
Max  
N02L1618C1AB  
48 - BGA  
N02L1618C1AB2 Green 48-BGA  
N02L1618C1AT2 Green 44-TSOP2  
70/85ns @  
1.65V  
-40oC to +85oC  
1.65V - 2.2V  
10 µA  
3 mA @ 1MHz  
N02L1618C1AT  
44 - TSOP2  
(DOC# 14-02-012 REV B ECN# 01-1274)  
The specifications of this device are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.nanoamp.com.  
1
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与N02L1618C1AB-70I相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
N02L1618C1AT NANOAMP

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