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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | BGA |
| 包装说明： | BGA-48 | 针数： | 48 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.86 |
| 最长访问时间： | 55 ns | I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | R-PBGA-B48 | JESD-609代码： | e0 |
| 长度： | 8 mm | 内存密度： | 1048576 bit |
| 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM | 内存宽度： | 16 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 48 |
| 字数： | 65536 words | 字数代码： | 64000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 组织： | 64KX16 |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | LFBGA | 封装等效代码： | BGA48,6X8,30 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | 240 |
| 电源： | 3/3.3 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 1.34 mm | 最大待机电流： | 0.00001 A |
| 最小待机电流： | 1.8 V | 子类别： | SRAMs |
| 最大压摆率： | 0.014 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 2.3 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 3 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | INDUSTRIAL | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | BALL | 端子节距： | 0.75 mm |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| 宽度： | 6 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| N01L163WC2AB-70I | ONSEMI | Standard SRAM, 64KX16, 70ns, CMOS, PBGA48, BGA-48 |
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| N01L163WC2AT | NANOAMP | 1Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM |
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| N01L163WC2AT2 | NANOAMP | 1Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM |
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| N01L163WC2AT2-55I | NANOAMP | 2Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 12 |
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| N01L163WC2AT2-70I | NANOAMP | Standard SRAM, 64KX16, 70ns, CMOS, PDSO44 |
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| N01L163WC2AT2-70I | ONSEMI | Standard SRAM, 64KX16, 70ns, CMOS, PDSO44, GREEN, TSOP2-44 |
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