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N01L083WC2AT-70I

更新时间： 2024-02-25 10:06:33

品牌	Logo	应用领域
NANOAMP		静态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
10页	77K
描述
Standard SRAM, 128KX8, 70ns, CMOS, PDSO32

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N01L083WC2AT-70I 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Contact Manufacturer
包装说明：	TSSOP, TSSOP32,.8,20	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.88	最长访问时间：	70 ns
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PDSO-G32
内存密度：	1048576 bit	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
内存宽度：	8	端子数量：	32
字数：	131072 words	字数代码：	128000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	128KX8
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSSOP	封装等效代码：	TSSOP32,.8,20
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
并行/串行：	PARALLEL	电源：	2.5/3.3 V
认证状态：	Not Qualified	最大待机电流：	0.00001 A
最小待机电流：	1.8 V	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.014 mA	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.5 mm
端子位置：	DUAL	Base Number Matches：	1

N01L083WC2AT-70I 数据手册

NanoAmp Solutions, Inc.

Functional Block Diagram

Word

N01L083WC2A

Address

Decode

Logic

Inputs

A₀- A₃

Input/

Output

Mux

Page

Address

8K Page

x 16 word

x 8 bit

Address

Inputs

A₄- A₁₆

Decode

Logic

and

I/O₀- I/O₇

Buffers

RAM Array

CE1

CE2

Control

Logic

Functional Description

I/O - I/O

CE1

CE2

MODE

POWER

High Z

Data In

Standby

Active

Standby

Write

Data Out

High Z

Active

Read

Active

1. When the device is in standby mode, control inputs (WE and OE), address inputs and data input/outputs are internally isolated

from any external influence and disabled from exerting any influence externally.

2. When WE is invoked, the OE input is internally disabled and has no effect on the circuit.

Capacitance¹

Item

Symbol

Test Condition

Min

Max

Unit

Input Capacitance

I/O Capacitance

= 0V, f = 1 MHz, T = 25 C

I/O

1. These parameters are verified in device characterization and are not 100% tested

Stock No. 23033-03 1/02

The specifications of this device are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.nanoamp.com.

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