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N01L083WC2AN2-70I

更新时间： 2024-01-17 21:57:24
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
10页 162K
描述
128KX8 STANDARD SRAM, 70ns, PDSO32, GREEN, STSOP1-32

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N01L083WC2AN2-70I 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TSOP1
包装说明：LSSOP, TSSOP32,.56,20针数：32
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.41风险等级：5.78
Is Samacsys：N最长访问时间：70 ns
I/O 类型：COMMONJESD-30 代码：R-PDSO-G32
长度：11.8 mm内存密度：1048576 bit
内存集成电路类型：STANDARD SRAM内存宽度：8
功能数量：1端子数量：32
字数：131072 words字数代码：128000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：128KX8
输出特性：3-STATE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：LSSOP封装等效代码：TSSOP32,.56,20
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, LOW PROFILE, SHRINK PITCH
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：260
电源：2.5/3.3 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.25 mm最大待机电流：0.00001 A
最小待机电流：1.8 V子类别：SRAMs
最大压摆率：0.014 mA最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：2.3 V标称供电电压 (Vsup)：3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子形式：GULL WING
端子节距：0.5 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40宽度：8 mm
Base Number Matches：1

N01L083WC2AN2-70I 数据手册

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AMI Semiconductor, Inc.  
Timing Test Conditions  
N01L083WC2A  
Item  
0.1VCC to 0.9 VCC  
Input Pulse Level  
Input Rise and Fall Time  
Input and Output Timing Reference Levels  
Output Load  
5ns  
0.5 VCC  
CL = 30pF  
-40 to +85 oC  
Operating Temperature  
Timing  
2.3 - 3.6 V  
2.7 - 3.6 V  
Item  
Symbol  
Units  
Min.  
Max.  
Min.  
Max.  
tRC  
tAA  
Read Cycle Time  
70  
55  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
Address Access Time  
70  
70  
35  
55  
55  
30  
tCO  
tOE  
tLZ  
Chip Enable to Valid Output  
Output Enable to Valid Output  
Chip Enable to Low-Z output  
Output Enable to Low-Z Output  
Chip Disable to High-Z Output  
Output Disable to High-Z Output  
Output Hold from Address Change  
Write Cycle Time  
10  
5
10  
5
tOLZ  
tHZ  
0
20  
20  
0
15  
15  
tOHZ  
tOH  
tWC  
tCW  
tAW  
tWP  
tAS  
0
0
10  
70  
50  
50  
40  
0
10  
55  
45  
45  
32.5  
0
Chip Enable to End of Write  
Address Valid to End of Write  
Write Pulse Width  
Address Setup Time  
tWR  
tWHZ  
tDW  
tDH  
tOW  
Write Recovery Time  
0
0
Write to High-Z Output  
20  
15  
Data to Write Time Overlap  
Data Hold from Write Time  
End Write to Low-Z Output  
40  
0
30  
0
5
5
ns  
(DOC# 14-02-008 REV I ECN# 01-1283)  
The specifications of this device are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.amis.com.  
5
12345678...10

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