是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | TSOP1 |
包装说明: | LSSOP, TSSOP32,.56,20 | 针数: | 32 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.78 |
Is Samacsys: | N | 最长访问时间: | 70 ns |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | R-PDSO-G32 |
长度: | 11.8 mm | 内存密度: | 1048576 bit |
内存集成电路类型: | STANDARD SRAM | 内存宽度: | 8 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 32 |
字数: | 131072 words | 字数代码: | 128000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 组织: | 128KX8 |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | LSSOP | 封装等效代码: | TSSOP32,.56,20 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE, LOW PROFILE, SHRINK PITCH |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
电源: | 2.5/3.3 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 1.25 mm | 最大待机电流: | 0.00001 A |
最小待机电流: | 1.8 V | 子类别: | SRAMs |
最大压摆率: | 0.014 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup): | 2.3 V | 标称供电电压 (Vsup): | 3 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | INDUSTRIAL | 端子形式: | GULL WING |
端子节距: | 0.5 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 40 | 宽度: | 8 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
N01L083WC2AN-55I | ONSEMI | Standard SRAM, 128KX8, 55ns, CMOS, PDSO32, STSOP1-32 |
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N01L083WC2AN-55I | NANOAMP | Standard SRAM, 128KX8, 55ns, CMOS, PDSO32 |
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N01L083WC2AN-70I | NANOAMP | Standard SRAM, 128KX8, 70ns, CMOS, PDSO32 |
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N01L083WC2AT | NANOAMP | 1Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM |
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N01L083WC2AT2 | NANOAMP | 1Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM |
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N01L083WC2AT2-55I | NANOAMP | Standard SRAM, 128KX8, 55ns, CMOS, PDSO32 |
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