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MXLLCE36

更新时间: 2023-01-15 00:00:00
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI /
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5页 344K
描述
Trans Voltage Suppressor Diode

MXLLCE36 技术参数

是否无铅:含铅是否Rohs认证:符合
生命周期:Active包装说明:O-PALF-W2
针数:2Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:5.77Is Samacsys:N
其他特性:HIGH RELIABILITY最大击穿电压:44.2 V
最小击穿电压:40 V击穿电压标称值:42.1 V
外壳连接:ISOLATED最大钳位电压:58.1 V
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODEJESD-30 代码:O-PALF-W2
JESD-609代码:e0最大非重复峰值反向功率耗散:1500 W
元件数量:1端子数量:2
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性:UNIDIRECTIONAL最大功率耗散:5 W
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:36 V
子类别:Transient Suppressors表面贴装:NO
技术:AVALANCHE端子面层:TIN LEAD
端子形式:WIRE端子位置:AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

MXLLCE36 数据手册

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