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MUN2212T1

更新时间： 2024-02-17 05:11:32

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乐山 - LRC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
11页	158K
描述
Bias Resistor Transistor

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MUN2212T1 技术参数

生命周期：	Transferred	零件包装代码：	SC-59
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	5.28
其他特性：	BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1	最大集电极电流 (IC)：	0.1 A
集电极-发射极最大电压：	50 V	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：	60	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	NPN
功耗环境最大值：	0.2 W	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
VCEsat-Max：	0.25 V	Base Number Matches：	1

MUN2212T1 数据手册

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.

MUN2211T1 Series

DEVICE MARKING AND RESISTOR VALUES

Device

MUN2211T1

Package

SC–59

Marking

R1 (K)

R2 (K)

∞

Shipping

3000/Tape & Reel

MUN2212T1

MUN2213T1

MUN2214T1

MUN2215T1 (Note 3)

MUN2216T1 (Note 3)

MUN2230T1 (Note 3)

MUN2231T1 (Note 3)

MUN2232T1 (Note 3)

MUN2233T1 (Note 3)

MUN2234T1 (Note 3)

MUN2236T1

4.7

1.0

2.2

4.7

∞

1.0

2.2

4.7

100

∞

100

MUN2237T1

MUN2240T1 (Note 3)

MUN2241T1 (Note 3)

100

∞

3. New devices. Updated curves to follow in subsequent data sheets.

MUN2211T1 Series–2/11

123 4 5 6 7...11

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
MUN2212T1G	ONSEMI	Bias Resistor Transistors	获取价格
MUN2212T3	MOTOROLA	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon	获取价格
MUN2212T3	ROCHESTER	100mA, 50V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, SC-59, 3 PIN	获取价格
MUN2213	WEITRON	NPN Silicon Bias Resistor Transistor	获取价格
MUN2213	ONSEMI	NPN SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTOR	获取价格
MUN2213-G	WEITRON	Transistor	获取价格