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MTC4303N8J-0-T1-G

更新时间： 2022-02-26 13:50:22

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全宇昕 - CYSTEKEC		/
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13页	601K
描述
N- AND P-Channel Enhancement Mode MOSFET

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MTC4303N8J-0-T1-G 数据手册

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Spec. No. : C022N8J

Issued Date : 2018.03.07

Revised Date :

CYStech Electronics Corp.

age No. : 3/13

Dynamic

Ciss

362

5.8

15.6

Coss

Crss

*t_d(ON)

*t_r

*t_d(OFF)

*t_f

V_DS=15V, V_GS=0V, f=1MHz

V_DS=15V, I_D=4.5A, V_GS=10V, R_G=1

*Qg

9.5

1.4

3.3

*Qgs

*Qgd

V_DS=24V, I_D=4.5A, V_GS=10V

f=1MHz

Body Diode

*V_SD

*trr

0.8

8.7

3.8

1.2

V_GS=0V, I_S=1A

I_F=1A, V_GS=0V, dI_F/dt=100A/μs

*Qrr

*Pulse Test : Pulse Width ≤300μs, Duty Cycle≤2%

P-Channel Electrical Characteristics (Tc=25°C, unless otherwise specified)

Symbol

Min.

Typ.

Max.

Unit

Test Conditions

Static

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

-30

-1.3

V_GS=0, I_D=-250μA

-2.6

±100

-1

-10

V_DS=V_GS, I_D=-250μA

V_GS=±20V, V_DS=0V

V_DS=-30V, V_GS=0V

V_DS=-24V, V_GS=0V, Tj=70°C

V_GS=-10V, I_D=-3A

μA

I_DSS

54.6

*R_DS(ON)

*G_FS

mΩ

83.2

4.2

125

V_GS=-4.5V, I_D=-3A

V_DS=-10V, I_D=-3A

Dynamic

Ciss

487

V_DS=-15V, V_GS=0V, f=1MHz

Coss

Crss

*td_(ON)

*tr

*td_(OFF)

*tf

6.2

20.8

31.8

11.4

1.7

2.7

V_DS=-15V, I_D=-3A, V_GS=-10V, R_G=1

*Qg

V_DS=-24V, I_D=-3A, V_GS=-10V

f=1MHz

*Qgs

*Qgd

Body Diode

*V_SD

*trr

-0.82

8.7

-1.2

V_GS=0V, I_S=-1A

I_F=-1A, V_GS=0V, dI_F/dt=100A/μs

*Qrr

*Pulse Test : Pulse Width ≤300μs, Duty Cycle≤2%

MTC4303N8J

CYStek Product Specification

1 234 5 6 7...13

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