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MT130CB18T2

更新时间： 2022-02-26 11:43:23
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江苏爱普特 - APTSEMI /
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4页 167K
描述
Thyristor/Diode Modules

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MT130CB18T2 数据手册

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MT130CB18T2  
◆Thyristor  
Maximum Ratings  
Symbol  
Item  
Conditions  
Values  
Units  
ITAV  
Average On-State Current  
Sine 180o;Tc=85℃  
130  
A
TVJ =45℃ t=10ms, sine  
TVJ =125℃ t=10ms, sine  
4700  
4000  
ITSM  
Surge On-State Current  
A
TVJ =45℃ t=10ms, sine  
TVJ =125℃ t=10ms, sine  
110000  
80000  
i2t  
Circuit Fusing Consideration  
A2s  
Visol  
Tvj  
Isolation Breakdown Voltage(R.M.S) a.c.50HZ;r.m.s.;1min  
Operating Junction Temperature  
3000  
V
-40 to +130  
-40 to +125  
3±15%  
℃
Tstg  
Mt  
Storage Temperature  
℃
Mounting Torque  
To terminals(M6)  
To heatsink(M6)  
Nm  
Nm  
Ms  
5±15%  
Critical Rate of Rise of On-State  
Current  
TVJ= TVJM , 2/3VDRM ,IG =500mA  
Tr<0.5us,tp>6us  
di/dt  
200  
A/us  
Critical Rate of Rise of Off-State  
Voltage, min.  
dv/dt  
a
TJ=TVJM ,2/3VDRM linear voltage rise  
1000  
50  
V/us  
m/s2  
Maximum allowable acceleration  
Thermal Characteristics  
Symbol  
Rth(j-c)  
Item  
Conditions  
Junction to Case  
Values  
0.18  
Units  
℃/W  
Thermal Impedance, max.  
Rth(c-s)  
Thermal Impedance, max.  
Case to Heatsink  
0.10  
℃/W  
Electrical Characteristics  
Values  
Min. Typ. Max.  
Symbol  
Item  
Conditions  
Units  
VTM  
Peak On-State Voltage, max.  
T=25℃ IT =500A  
1.8  
V
Repetitive Peak Reverse Current,  
max. / Repetitive Peak Off-State  
Current, max.  
TVJ=TVJM ,VR=VRRM ,VD=  
VDRM  
IRRM/IDRM  
40  
mA  
For power-loss  
calculations only  
(TVJ =125℃)  
VTO  
On state threshold voltage  
1
V
Value of on-state  
slope resistance. max  
rT  
TVJ =TVJM  
1.6  
mΩ  
VGT  
IGT  
VGD  
IGD  
IL  
Gate Trigger Voltage, max.  
Gate Trigger Current, max.  
Non-triggering gate voltage, max.  
Non-triggering gate current, max.  
Latching current, max.  
TVJ =25℃ , VD =6V  
3
V
TVJ =25℃ , VD =6V  
150  
0.25  
10  
mA  
V
TVJ=125℃,VD =2/3VDRM  
TVJ =125℃, VD =2/3VDRM  
TVJ =25℃ , RG = 33 Ω  
TVJ =25℃ , VD =6V  
mA  
mA  
mA  
300  
150  
1000  
400  
IH  
Holding current, max.  
TVJ=25℃,  
IG=1A, diG/dt=1A/us  
tgd  
tq  
Gate controlled delay time  
1
us  
us  
Circuit commutated turn-off time  
TVJ =TVJM  
100  
Document Number: S-M0050  
Rev.1.0, May.31, 2013  
www.apt-semi.com  
2
1234

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