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MSRT20060AD PDF预览

MSRT20060AD

更新时间： 2024-02-08 01:13:40
品牌 Logo 应用领域
GENESIC 局域网高功率电源二极管
页数 文件大小 规格书
3页 667K
描述
Silicon Standard Recovery Diode

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MSRT20060AD 技术参数

生命周期：Contact Manufacturer包装说明：R-XUFM-X3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.74
应用：HIGH POWER外壳连接：ISOLATED
配置：SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：1.1 V
JESD-30 代码：R-XUFM-X3最大非重复峰值正向电流：3000 A
元件数量：2相数：1
端子数量：3最高工作温度：175 °C
最低工作温度：-40 °C最大输出电流：200 A
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT最大重复峰值反向电压：600 V
最大反向电流：10 µA表面贴装：NO
端子形式：UNSPECIFIED端子位置：UPPER
Base Number Matches：1

MSRT20060AD 数据手册

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MSRT20060(A)D thru MSRT200100(A)D  
VRRM = 600 V - 1000 V  
IF(AV) = 200 A  
Silicon Standard  
Recovery Diode  
Features  
• High Surge Capability  
• Types from 600 V to 1000 V VRRM  
Three Tower Package  
• Isolation Type Package  
• Electrically Isolated Base Plate  
• Not ESD Sensitive  
MSRT200XXAD  
MSRT200XXADR  
MSRT200XXD  
Maximum ratings, at Tj = 25 °C, unless otherwise specified  
Conditions  
MSRT20060(A)D  
MSRT20080(A)D MSRT200100(A)D  
Parameter  
Symbol  
Unit  
VRRM  
VRMS  
VDC  
Tj  
600  
424  
800  
566  
1000  
707  
Repetitive peak reverse voltage  
RMS reverse voltage  
V
V
600  
800  
1000  
DC blocking voltage  
V
-55 to 150  
-55 to 150  
-55 to 150  
-55 to 150  
-55 to 150  
-55 to 150  
Operating temperature  
Storage temperature  
°C  
°C  
Tstg  
Electrical characteristics, at Tj = 25 °C, unless otherwise specified  
Conditions  
TC = 140 °C  
MSRT20060(A)D  
MSRT20080(A)D MSRT200100(A)D  
Parameter  
Symbol  
IF(AV)  
IFSM  
Unit  
A
Average forward current (per  
leg)  
200  
3000  
1.1  
200  
3000  
1.1  
200  
3000  
1.1  
Peak forward surge current  
(per leg)  
tp = 8.3 ms, half sine  
IFM = 200 A, Tj = 25 °C  
A
Maximum instantaneous  
forward voltage (per leg)  
VF  
V
Maximum instantaneous  
reverse current at rated DC  
blocking voltage (per leg)  
Tj = 25 °C  
10  
5
10  
5
10  
5
μA  
IR  
Tj = 150 °C  
mA  
Thermal characteristics  
Maximum thermal resistance,  
junction - case (per leg)  
RΘjc  
0.35  
0.35  
0.35  
°C/W  
1
Oct. 2018  
http://www.diodemodule.com/silicon_products/modules/msrt200100ad.pdf  
123

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