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MSM51V16105A-70TS

更新时间: 2024-09-30 14:34:55
品牌 Logo 应用领域
冲电气 - OKI 动态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
1页 35K
描述
EDO DRAM, 16MX1, 70ns, MOS, PDSO26

MSM51V16105A-70TS 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:SOP,
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.02风险等级:5.84
Is Samacsys:N访问模式:FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间:70 nsJESD-30 代码:R-PDSO-G26
内存密度:16777216 bit内存集成电路类型:EDO DRAM
内存宽度:1功能数量:1
端口数量:1端子数量:26
字数:16777216 words字数代码:16000000
工作模式:ASYNCHRONOUS组织:16MX1
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:SOP封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE认证状态:Not Qualified
刷新周期:4096标称供电电压 (Vsup):3 V
表面贴装:YES技术:MOS
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

MSM51V16105A-70TS 数据手册

  

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