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MS2602

更新时间： 2024-02-27 06:01:47

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美高森美 - MICROSEMI		局域网开关晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	111K
描述
RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, S Band, Silicon, NPN, M218, 2 PIN

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MS2602 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2
针数：	4	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.13	外壳连接：	BASE
配置：	SINGLE	最高频带：	S BAND
JESD-30 代码：	R-CDFM-F2	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	2
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

MS2602 数据手册

MS2602

ELECTRICAL SPECIFICATIONS (Tcase = 25°C)

STATIC

Symbol

Test Conditions

Value

Min.

3.5

---

Typ.

Max.

---

Unit

BV_CBO

BV_EBO

BV_CER

I_CES

I_C= 2 mA

I_E= 1 mA

I_C= 2 mA

V_CE= 30 V

V_CE= 5 V

I_E= 0 mA

I_C= 0 mA

RBE = 10Ω

---

2.0

150

---

HFE

I_C= 200 mA

---

DYNAMIC

Symbol

Test Conditions

Value

Typ.

Min.

3.0

Max.

---

Unit

f = 2.7 – 3.1 GHz

P_IN= 0.8 W

V_CC=30 V

---

P_out

f = 2.7 – 3.1 GHz

Conditions Pulse width = 100 µsec Duty Cycle = 10%

P_IN= 0.8 W

V_CC= 30 V

V_CC=30 V

5.7

---

η_C

G_P

IMPEDANCE DATA

Freq

Z_IN(Ω)

Z_CL(Ω)

2.7 GHz

11.5 + j14.0

22.5 + j5.5

2.9 GHz

3.1 GHz

11.5 + j12.5

10.0 + j15.5

19.5 + j5.0

14.5 + j2.0

P_IN= 0.8 W

V_CC= 30 V

12-05-2002

123

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
MS2603	MICROSEMI	RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, S Band, Silicon, NPN, M218, 2 PIN	获取价格
MS2603	ADPOW	RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, S Band, Silicon, NPN, 0.400 X 0.400 INCH, HERMETIC	获取价格
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