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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | DMA | 包装说明： | DIMM, DIMM160,25 |
| 针数： | 160 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8542.32.00.32 |
| 风险等级： | 5.84 | 访问模式： | BLOCK ORIENTED PROTOCOL |
| 最长访问时间： | 40 ns | 其他特性： | SELF CONTAINED REFRESH |
| 最大时钟频率 (fCLK)： | 800 MHz | I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | R-XDMA-N160 | 内存密度： | 603979776 bit |
| 内存集成电路类型： | RAMBUS DRAM MODULE | 内存宽度： | 18 |
| 功能数量： | 1 | 端口数量： | 1 |
| 端子数量： | 160 | 字数： | 33554432 words |
| 字数代码： | 32000000 | 工作模式： | SYNCHRONOUS |
| 组织： | 32MX18 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装代码： | DIMM |
| 封装等效代码： | DIMM160,25 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 电源： | 1.8/2.5,2.5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 自我刷新： | YES | 子类别： | DRAMs |
| 最大压摆率： | 0.8 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 2.63 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 2.37 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 2.5 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | CMOS |
| 端子形式： | NO LEAD | 端子节距： | 0.635 mm |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MS18R1622AH0-CM9 | SAMSUNG |
获取价格 |
Rambus DRAM Module, 32MX18, 35ns, CMOS, SORIMM-160 |
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| MS18R1622DH0-CK8 | SAMSUNG |
获取价格 |
Rambus DRAM Module, 32MX18, 45ns, CMOS, SORIMM-160 |
|
| MS18R1622DH0-CM8 | SAMSUNG |
获取价格 |
Rambus DRAM Module, 32MX18, 40ns, CMOS, SORIMM-160 |
|
| MS18R1622DH0-CM9 | SAMSUNG |
获取价格 |
Rambus DRAM Module, 32MX18, 35ns, CMOS, SORIMM-160 |
|
| MS18R1622DH0-CN9 | SAMSUNG |
获取价格 |
Rambus DRAM Module, 32MX18, 32ns, CMOS, SORIMM-160 |
|
| MS18R1624AH0-CK8 | SAMSUNG |
获取价格 |
Rambus DRAM Module, 64MX18, 45ns, CMOS, SORIMM-160 |
|
| MS18R1624AH0-CM8 | SAMSUNG |
获取价格 |
Rambus DRAM Module, 64MX18, 40ns, CMOS, SORIMM-160 |
|
| MS18R1624AH0-CM9 | SAMSUNG |
获取价格 |
Rambus DRAM Module, 64MX18, 35ns, CMOS, SORIMM-160 |
|
| MS18R1624DH0-CM8 | SAMSUNG |
获取价格 |
Rambus DRAM Module, 64MX18, 40ns, CMOS, SORIMM-160 |
|
| MS18R1624DH0-CM9 | SAMSUNG |
获取价格 |
Rambus DRAM Module, 64MX18, 35ns, CMOS, SORIMM-160 |
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