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MS1226

更新时间： 2024-02-26 15:10:57

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ADPOW		晶体晶体管射频微波
页数	文件大小	规格书
3页	454K
描述
RF & MICROWAVE TRANSISTORS HF SSB APPLICATIONS

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MS1226 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, O-PRFM-F4
针数：	4	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.64
Base Number Matches：	1

MS1226 数据手册

MS1226

RF & MICROWAVE TRANSISTORS

HF SSB APPLICATIONS

Features

30 MHz

28 VOLTS

IMD = -28 dB

P_OUT= 30 WATTS

G_P= 18 dB MINIMUM

COMMON EMITTER CONFIGURATION

DESCRIPTION:

The MS1226 is a 28V epitaxial silicon NPN planar transistor

designed primarily for SSB communications. This device

utilizes emitter ballasting for improved ruggedness and

reliability.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Symbol

Paramete

Value

nit

V_CBO

Co llector-base Voltage

V_CEO

V_EBO

I_C

Co llector-emitter Voltage

Emit ter-Base Voltage

Dev ice Current

4.0

4.5

P_DISS

T_J

Po wer Dissipation

Ju nction Temperature

Storage Temperature

+200

T_STG

-65 to +150

2.2

Thermal Data

R_TH(J-C)

Junction-case Thermal Resistance

C/W

053-7055 Rev - 10-2002

12 3

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