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MPTE-5 PDF预览

MPTE-5

更新时间： 2024-01-28 22:29:56
品牌 Logo 应用领域
MDE 二极管
页数 文件大小 规格书
2页 38K
描述
GLASS PASSIVATED JUNCTION TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR

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MPTE-5 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Obsolete包装说明：O-PALF-W2
针数：2Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.50
风险等级：5.28Is Samacsys：N
其他特性：EXCELLENT CLAMPING CAPABILITY, HIGH RELIABILITY, LOW IMPEDANCE最小击穿电压：6 V
外壳连接：ISOLATED最大钳位电压：9.4 V
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODEJESD-30 代码：O-PALF-W2
JESD-609代码：e3最大非重复峰值反向功率耗散：1500 W
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：175 °C最低工作温度：-65 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：LONG FORM峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性：UNIDIRECTIONAL最大功率耗散：5 W
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：5 V
子类别：Transient Suppressors表面贴装：NO
技术：ZENER端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：WIRE端子位置：AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

MPTE-5 数据手册

 浏览型号MPTE-5的Datasheet PDF文件第2页 
MDE Semiconductor, Inc.  
78-150 Calle Tampico, Unit 210, La Quinta, CA., USA 92253 Tel : 760-564-8656 • Fax : 760-564-2414  
1-800-831-4881 Email: sales@mdesemiconductor.com Web: www.mdesemiconductor.com  
ICTE5.0 to ICTE15C MPTE-5 to MPTE-45  
1N6373 to 1N6381 and 1N6382 to 1N6389  
GLASS PASSIVATED JUNCTION TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR  
STANDOFF VOLTAGE- 5.0 to 45.0V  
1500 Watt Peak Power  
FEATURES  
• Plastic package has Underwriters Laboratory  
Flammability Classification 94 V-O  
• Glass passivated chip junction in Molded Plastic package  
• 1500W surge capability at 1ms  
• Excellent clamping capability  
• Low zener inpedance  
• Fast response time: typically less than  
1.0 ps from 0 volts to BV min.  
• Typical IR less than 1µA above 10V  
• High temperature soldering guaranteed:  
250°C/10 seconds/ .375", (9.5mm) lead  
length, 5lbs., (2.3kg) tension  
• Includes 1N6373 thru 1N6385  
MECHANICAL DATA  
Case: JEDEC DO-201 Molded plastic  
Terminals: Plated Axial leads, solderable per  
MIL-STD-750, Method 2026  
Polarity: Color band denoted positive end (cathode)  
except Bipolar  
Mounting Position: Any  
Weight: 0.045 ounces, 1.2 grams  
MAXIMUM RATINGS AND CHARACTERISTICS  
Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified.  
RATING  
SYMBOL  
VALUE  
Minimum 1500  
SEE TABLE 1  
5.0  
UNITS  
Watts  
Amps  
Watts  
Peak Pulse Power Dissipation at TA = 25 °C, TP = 1ms  
(NOTE 1)  
PPPM  
IPPM  
Peak Pulse Current of on 10/1000 µs waveform (Note 1)  
Steady State Power Dissipation at TL = 75°C  
Lead lengths .375", 9.5mm (Note 2)  
PM(AV)  
Peak Forward Surge Current, 8.3ms Single Half Sine-wave  
Superimposed on Rated Load, (JEDEC Method)(Note 3)  
IFSM  
200  
Amps  
Maximum instantaneous forward voltage at 100A for  
unidirectional only  
VF  
3.5  
Volt  
°C  
Operatings and Storage Temperature Range  
TJ, TSTG  
-55 +175  
NOTES:  
1. Non-repetitive current pulse, per Fig.3 and derated above Ta=25 °C per Fig.2.  
2. Mounted on Copper Pad area of 0.8x0.8" (20x20mm) per Fig.5.  
3. 8.3ms single half sine-wave, or equivalent square wave, Duty cycle=4 pulses per minutes maximum.  
Certified RoHS Compliant  
UL File # E223026  
12

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与MPTE-5相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MPTE5/ NJSEMI

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 		Diode TVS Single Uni-Dir 5V 1.5KW 2-Pin Case 41A-04 Box
MPTE-5C NJSEMI

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 		1500 WATT LOW CLAMPING FACTOF TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSO
MPTE-5CTR MICROSEMI

获取价格

 		Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 5V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, PLAST
MPTE-5CTRE3 MICROSEMI

获取价格

 		Trans Voltage Suppressor Diode, 5V V(RWM), Bidirectional,
MPTE-5E3 MICROSEMI

获取价格

 		Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 5V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, ROHS
MPTE-5E3TR MICROSEMI

获取价格

 		Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 5V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, ROHS
MPTE-5G ONSEMI

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 		1500 Watt Peak Power Mosorb TM Zener Transient Voltage Suppressors
MPTE-5RL4 ONSEMI

获取价格

 		1500 Watt Peak Power Mosorb TM Zener Transient Voltage Suppressors
MPTE-5RL4G ONSEMI

获取价格

 		1500 Watt Peak Power Mosorb TM Zener Transient Voltage Suppressors
MPTE-5TR MICROSEMI

获取价格

 		Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 5V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, PLAS

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