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Datasheet > 二极管 > 齐纳二极管> MMBZ5253ELT3
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MMBZ5253ELT3

更新时间： 2024-01-20 09:47:08
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 稳压器
页数 文件大小 规格书
6页 77K
描述
Zener Voltage Regulators

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MMBZ5253ELT3 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：R-PDSO-G3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.50
风险等级：5.32Is Samacsys：N
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：ZENER DIODE最大动态阻抗：35 Ω
JEDEC-95代码：TO-236JESD-30 代码：R-PDSO-G3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-65 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性：UNIDIRECTIONAL最大功率耗散：0.225 W
标称参考电压：25 V子类别：Voltage Reference Diodes
表面贴装：YES技术：ZENER
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED最大电压容差：5%
工作测试电流：5 mABase Number Matches：1

MMBZ5253ELT3 数据手册

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MMBZ5221ELT1 Series  
Zener Voltage Regulators  
225 mW SOT−23 Surface Mount  
This series of Zener diodes is offered in the convenient, surface  
mount plastic SOT−23 package. These devices are designed to provide  
voltage regulation with minimum space requirement. They are well  
suited for applications such as cellular phones, hand held portables,  
and high density PC boards.  
http://onsemi.com  
Specification Features:  
3
1
Cathode  
Anode  
• 225 mW Rating on FR−4 or FR−5 Board  
• Zener Voltage Range − 2.4 V to 91 V  
• Package Designed for Optimal Automated Board Assembly  
• Small Package Size for High Density Applications  
• ESD Rating of Class 3 (>16 kV) per Human Body Model  
• Peak Power − 225 W (8 x 20 ms)  
3
1
2
SOT−23  
CASE 318  
STYLE 8  
• Pb−Free Packages are Available  
Mechanical Characteristics:  
CASE: Void-free, transfer-molded, thermosetting plastic case  
FINISH: Corrosion resistant finish, easily solderable  
MAXIMUM CASE TEMPERATURE FOR SOLDERING PURPOSES:  
260°C for 10 Seconds  
MARKING DIAGRAM  
POLARITY: Cathode indicated by polarity band  
FLAMMABILITY RATING: UL 94 V−0  
xxx M  
xxx = Specific Device Code  
MAXIMUM RATINGS  
M
= Date Code  
Rating  
Symbol  
Max  
Unit  
Peak Power Dissipation @ 20 ms (Note 1)  
P
pk  
225  
W
ORDERING INFORMATION  
@ T ≤ 25°C  
L
†
Total Power Dissipation on FR−5 Board,  
P
D
Device  
MMBZ52xxELT1  
Package  
Shipping  
(Note 2) @ T = 25°C  
225  
1.8  
mW  
mW/°C  
A
SOT−23  
3000/Tape & Reel  
Derated above 25°C  
Thermal Resistance −  
Junction−to−Ambient  
R
556  
°C/W  
MMBZ52xxELT3* SOT−23 10,000/Tape & Reel  
q
JA  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specifications  
Brochure, BRD8011/D.  
Total Power Dissipation on Alumina  
Substrate, (Note 3) @ T = 25°C  
Derated above 25°C  
P
D
300  
2.4  
mW  
mW/°C  
A
*MMBZ5246EL, and MMBZ5252EL  
Not Available in 10,000/Tape & Reel.  
Thermal Resistance −  
Junction−to−Ambient  
R
417  
°C/W  
°C  
q
JA  
Junction and Storage  
Temperature Range  
T , T  
J
−65 to  
+150  
stg  
DEVICE MARKING INFORMATION  
See specific marking information in the device marking  
column of the Electrical Characteristics table on page 2 of  
this data sheet.  
Maximum ratings are those values beyond which device damage can occur.  
Maximum ratings applied to the device are individual stress limit values (not  
normal operating conditions) and are not valid simultaneously. If these limits  
are exceeded, device functional operation is not implied, damage may occur  
and reliability may be affected.  
1. Nonrepetitive current pulse per Figure 9.  
2. FR−5 = 1.0 X 0.75 X 0.62 in.  
3. Alumina = 0.4 X 0.3 X 0.024 in., 99.5% alumina.  
Semiconductor Components Industries, LLC, 2005  
1
Publication Order Number:  
January, 2005 − Rev. 4  
MMBZ5221ELT1/D  
 
123456

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MMBZ5253ELT3 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
MMBZ5253ELT1G ONSEMI

类似代替

 225 W，25 V 齐纳二极管稳压器
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功能相似

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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MMBZ5254 GOOD-ARK

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