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MMBZ5233B

更新时间: 2024-02-05 10:36:20
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EIC 测试二极管
页数 文件大小 规格书
2页 106K
描述
Zener Diode,

MMBZ5233B 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.81
Is Samacsys:N配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:ZENER DIODE
最大动态阻抗:7 ΩJESD-30 代码:R-PDSO-G3
JESD-609代码:e0元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
最低工作温度:-65 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
极性:UNIDIRECTIONAL最大功率耗散:0.35 W
标称参考电压:6 V子类别:Voltage Reference Diodes
表面贴装:YES技术:ZENER
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL最大电压容差:5%
工作测试电流:20 mABase Number Matches:1

MMBZ5233B 数据手册

 浏览型号MMBZ5233B的Datasheet PDF文件第2页 
Certificate TH97/10561QM  
Certificate TW00/17276EM  
SILICON PLANAR ZENER DIODE  
SOT-23  
MMBZ5221B ~ MMBZ5261B  
0.100  
0.013  
1.40  
0.95  
0.50  
0.35  
FEATURES :  
3.10  
2.70  
* Zener Breakdown Voltage Range 2.4 V to 47 V  
* Package Designed for Optimal Automated  
Board Assembly  
0.19  
0.08  
3
* Small Package Size for High Density Applications  
* Pb / RoHS Free  
1
2
1.02  
0.89  
2.04  
1.78  
3
MECHANICAL DATA :  
* Case : SOT-23 plastic Case  
bottom view  
1
2
Dimensions in millimeters  
Absolute Maximum Ratings ( Ta = 25 °C )  
RATING  
SYMBOL  
UNIT  
VALUE  
PD  
RӨJA  
TJ  
mW  
°C/W  
°C  
Power Dissipation  
350  
417  
Thermal Resistance, Jucntion to Ambient Air  
Junction Temperature  
150  
TSTG  
°C  
Storage Temperature Range  
- 55 to + 150  
Page 1 of 2  
Rev. 00 : March 22, 2007  

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