BCR08AS-8

更新时间： 2024-02-10 03:21:36

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三菱 - MITSUBISHI		栅极触发装置三端双向交流开关局域网
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5页	104K
描述
LOW POWER USE NON-INSULATED TYPE, PLANAR PASSIVATION TYPE

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BCR08AS-8 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
Reach Compliance Code：	unknown	HTS代码：	8541.30.00.80
风险等级：	5.84	Is Samacsys：	N
外壳连接：	MAIN TERMINAL 2	配置：	SINGLE
换向电压的临界上升率-最小值：	2 V/us	最大直流栅极触发电流：	5 mA
最大直流栅极触发电压：	2 V	JESD-30 代码：	R-PSSO-F3
最大漏电流：	1 mA	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-40 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
认证状态：	Not Qualified	最大均方根通态电流：	0.8 A
断态重复峰值电压：	400 V	子类别：	TRIACs
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	SINGLE	触发设备类型：	4 QUADRANT LOGIC LEVEL TRIAC
Base Number Matches：	1

BCR08AS-8 数据手册

MITSUBISHI SEMICONDUCTOR TRIAC

BCR08AS-8

LOW POWER USE

NON-INSULATED TYPE, PLANAR PASSIVATION TYPE

Dimensions

BCR08AS-8

OUTLINE DRAWING

in mm

4.4±0.1

1.5±0.1

1.6±0.2

0.5±0.07

0.4±0.07

+0.03

–0.05

0.4

1.5±0.11.5±0.1

(Back side)

TERMINAL

GATE TERMINAL

• IT (RMS) ..................................................................... 0.8A

• VDRM ....................................................................... 400V

• IFGT !, IRGT !, IRGT # ............................................. 5mA

• IFGT # .....................................................................10mA

SOT-89

APPLICATION

Hybrid IC, solid state relay,

control of household equipment such as electric fan · washing machine,

other general purpose control applications

MAXIMUM RATINGS

Voltage class

Symbol

Parameter

Unit

8 (marked “B•”)

✽1

VDRM

VDSM

Repetitive peak off-state voltage

400

500

✽1

Non-repetitive peak off-state voltage

Symbol

Parameter

RMS on-state current

Surge on-state current

Conditions

Ratings

Unit

✽4

IT (RMS)

ITSM

Commercial frequency, sine full wave 360° conduction, Ta=40°C

0.8

60Hz sinewave 1 full cycle, peak value, non-repetitive

Value corresponding to 1 cycle of half wave 60Hz, surge on-state

current

I t

I t for fusing

0.26

A s

PGM

PG (AV)

VGM

IGM

Peak gate power dissipation

Average gate power dissipation

Peak gate voltage

0.1

Peak gate current

Junction temperature

Storage temperature

Weight

–40 ~ +125

°C

Tstg

—

Typical value

✽1. Gate open.

Feb.1999

12 3 4 5

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