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23A512T-I-SN

更新时间： 2024-02-11 07:41:05

品牌	Logo	应用领域
美国微芯 - MICROCHIP		存储
页数	文件大小	规格书
16页	1075K
描述
A broad portfolio of high performance, best-in-class Serial Memory Products to meet all your design requirements.

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23A512T-I-SN 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	TSSOP, TSSOP8,.25	Reach Compliance Code：	compliant
Factory Lead Time：	9 weeks	风险等级：	5.5
最大时钟频率 (fCLK)：	20 MHz	I/O 类型：	SEPARATE
JESD-30 代码：	R-PDSO-G8	JESD-609代码：	e3
长度：	4.4 mm	内存密度：	524288 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	8
湿度敏感等级：	1	功能数量：	1
端口数量：	1, (3 LINE)	端子数量：	8
字数：	65536 words	字数代码：	64000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	64KX8
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSSOP
封装等效代码：	TSSOP8,.25	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH	并行/串行：	SERIAL
峰值回流温度（摄氏度）：	260	电源：	1.8/2 V
认证状态：	Not Qualified	筛选级别：	TS 16949
座面最大高度：	1.2 mm	最大待机电流：	0.000004 A
最小待机电流：	1.7 V	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.01 mA	最大供电电压 (Vsup)：	2.2 V
最小供电电压 (Vsup)：	1.7 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	Matte Tin (Sn) - annealed	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.65 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	宽度：	3 mm
Base Number Matches：	1

Serial Memory Products

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Serial EEPROM

Serial SRAM

www.microchip.com/memory

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
23A640	MICROCHIP	64K SPI Bus Low-Power Serial SRAM	获取价格
23A640_10	MICROCHIP	64K SPI Bus Low-Power Serial SRAM	获取价格
23A640-E/P	MICROCHIP	64K SPI Bus Low-Power Serial SRAM	获取价格
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23A640-E/ST	MICROCHIP	64K SPI Bus Low-Power Serial SRAM	获取价格
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