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MGM5N45

更新时间: 2024-02-12 17:19:19
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摩托罗拉 - MOTOROLA 局域网电动机控制晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 72K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 5A I(C), 450V V(BR)CES, N-Channel, TO-204AA

MGM5N45 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.92
外壳连接:COLLECTOR最大集电极电流 (IC):5 A
集电极-发射极最大电压:450 V配置:SINGLE
最大降落时间(tf):5000 ns门极发射器阈值电压最大值:4 V
门极-发射极最大电压:20 VJEDEC-95代码:TO-204AA
JESD-30 代码:O-MBFM-P2JESD-609代码:e0
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:150 °C封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):50 W认证状态:Not Qualified
最大上升时间(tr):500 ns子类别:Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装:NO端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:PIN/PEG端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:MOTOR CONTROL
晶体管元件材料:SILICON标称断开时间 (toff):5250 ns
标称接通时间 (ton):540 nsBase Number Matches:1

MGM5N45 数据手册

  

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