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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-XUFM-X4 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.81 |
| 其他特性： | HIGH SPEED | 外壳连接： | ISOLATED |
| 最大集电极电流 (IC)： | 500 A | 集电极-发射极最大电压： | 1200 V |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最大降落时间（tf）： | 500 ns |
| 门极发射器阈值电压最大值： | 6 V | 门极-发射极最大电压： | 20 V |
| JESD-30 代码： | R-XUFM-X4 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 4 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 功耗环境最大值： | 2900 W | 最大功率耗散 (Abs)： | 2400 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大上升时间（tr）： | 600 ns |
| 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | UNSPECIFIED | 端子位置： | UPPER |
| 晶体管应用： | MOTOR CONTROL | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称断开时间 (toff)： | 800 ns | 标称接通时间 (ton)： | 400 ns |
| VCEsat-Max： | 4 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| MG500Q1US11 | TOSHIBA | TRANSISTOR 500 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, Insulated Gate BIP Transistor |
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| MG500Q1US2 | TOSHIBA | TRANSISTOR 500 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, Insulated Gate BIP Transistor |
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| MG500Q1US21 | TOSHIBA | TRANSISTOR 500 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, Insulated Gate BIP Transistor |
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| MG501.01MOHMS0.5% | VISHAY | Fixed Resistor, 0.16W, 1010000ohm, 400V, 0.5% +/-Tol, -50,50ppm/Cel |
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| MG501.2MOHMS10% | VISHAY | Fixed Resistor, 0.16W, 1200000ohm, 400V, 10% +/-Tol, -50,50ppm/Cel |
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| MG501.43MOHMS1% | VISHAY | Fixed Resistor, 0.16W, 1430000ohm, 400V, 1% +/-Tol, -50,50ppm/Cel |
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