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MD8003

更新时间: 2024-09-28 22:30:19
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CENTRAL 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 51K
描述
NPN SILICON EUAL TRANSISTOR

MD8003 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:TO-78
包装说明:HERMETIC SEALED, METAL PACKAGE-6针数:6
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.21.00.75风险等级:5.86
最大集电极电流 (IC):0.03 A基于收集器的最大容量:20 pF
集电极-发射极最大电压:60 V配置:SEPARATE, 2 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE):100JEDEC-95代码:TO-78
JESD-30 代码:O-MBCY-W8JESD-609代码:e0
元件数量:2端子数量:8
最高工作温度:200 °C最低工作温度:-65 °C
封装主体材料:METAL封装形状:ROUND
封装形式:CYLINDRICAL峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:NPN功耗环境最大值:0.575 W
最大功率耗散 (Abs):2.5 W认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:NO
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:WIRE
端子位置:BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):240 MHz

MD8003 数据手册

  
145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USA  
Tel: (631) 435-1110 • Fax: (631) 435-1824  

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