5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | DMA |
| 包装说明： | DIMM, | 针数： | 232 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.36 | 风险等级： | 5.84 |
| 访问模式： | BLOCK ORIENTED PROTOCOL | 其他特性： | SELF CONTAINED REFRESH |
| JESD-30 代码： | R-XDMA-N232 | 内存密度： | 4294967296 bit |
| 内存集成电路类型： | RAMBUS DRAM MODULE | 内存宽度： | 32 |
| 功能数量： | 1 | 端口数量： | 1 |
| 端子数量： | 232 | 字数： | 134217728 words |
| 字数代码： | 128000000 | 工作模式： | SYNCHRONOUS |
| 组织： | 128MX32 | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装代码： | DIMM | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | 认证状态： | Not Qualified |
| 自我刷新： | YES | 最大供电电压 (Vsup)： | 2.63 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 2.37 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 2.5 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | CMOS |
| 端子形式： | NO LEAD | 端子位置： | DUAL |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MD16R162GEG0-CM8 | SAMSUNG |
获取价格 |
Rambus DRAM Module, 128MX32, 40ns, CMOS, RIMM-232 |
|
| MD16R162GEG0-CN1 | SAMSUNG |
获取价格 |
Rambus DRAM Module, 128MX32, 32ns, CMOS, RIMM-232 |
|
| MD16R162GEG0-CT9 | SAMSUNG |
获取价格 |
Rambus DRAM Module, 128MX32, 32ns, CMOS, RIMM-232 |
|
| MD170 | ETC |
获取价格 |
Analog IC |
|
| MD171 | ETC |
获取价格 |
Analog IC |
|
| MD-171 | VECTRON |
获取价格 |
High Stability GNSS Disciplined Oscillator Module |
|
| MD-171-0-D-A-D | VECTRON |
获取价格 |
High Stability GNSS Disciplined Oscillator Module |
|
| MD-171-0-D-A-E | VECTRON |
获取价格 |
High Stability GNSS Disciplined Oscillator Module |
|
| MD-171-0-D-A-J | VECTRON |
获取价格 |
High Stability GNSS Disciplined Oscillator Module |
|
| MD-171-0-D-A-T | VECTRON |
获取价格 |
High Stability GNSS Disciplined Oscillator Module |
|
BSS138LT3G：一款高效能N沟道MOSFET的全面解析
解读EGP10B二极管资料手册：产品特性、参数分析
RT9164AGG手册资料详解：引脚信息、设计指南
2SA1037KPT资料详解：产品特性、电气参数、设计指南
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
