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MCMA260PD1800YB

更新时间: 2024-02-28 12:08:29
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力特 - LITTELFUSE /
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5页 254K
描述
Silicon Controlled Rectifier,

MCMA260PD1800YB 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Transferred
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
风险等级:5.73峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED触发设备类型:SCR
Base Number Matches:1

MCMA260PD1800YB 数据手册

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MCMA260PD1800YB  
Thyristor  
400  
7000  
6000  
106  
VR = 0 V  
50 Hz, 80% VRRM  
300  
TVJ = 45°C  
ITSM  
5000  
[A]  
IT  
I2t  
TVJ = 45°C  
TVJ = 140°C  
200  
105  
[A]  
[A2s]  
TVJ = 125°C  
140°C  
100  
4000  
3000  
TVJ = 140°C  
TVJ = 25°C  
1.0  
0
0.0  
104  
0.5  
1.5  
0.01  
0.1  
1
1
2
3
4
5 6 7 8 10  
VT [V]  
t [s]  
t [ms]  
Fig. 3 I2t vs. time per thyristor  
Fig. 2 Surge overload current  
vs. time per thyristor  
Fig. 1 Forward current vs.  
voltage drop per thyristor  
100.0  
10.0  
320  
10  
1: IGT, TVJ = 125°C  
dc =  
1
0.5  
0.4  
0.33  
0.17  
0.08  
2: IGT, TVJ = 25°C  
3: IGT, TVJ = -40°C  
240  
ITAVM  
TVJ = 125°C  
3
6
2
tgd  
5
VG  
1
4
1
160  
80  
0
[A]  
lim.  
typ.  
[V]  
[µs]  
1.0  
4: PGM = 20 W  
5: PGM = 60 W  
6: PGM = 120 W  
IGD, TVJ = 140°C  
0.1  
0.1  
0.01  
10-3 10-2 10-1 100 101 102  
0.10  
1.00  
IG [A]  
10.00  
0
40  
80  
120  
160  
IG [A]  
Tcase [°C]  
Fig. 6 Max. forward current vs.  
case temperature per thyr.  
Fig. 5 Gate controlled delay time tgd  
Fig. 4 Gate voltage & gate current  
0.16  
420  
RthHA  
i
Rthi (K/W)  
ti (s)  
0.2  
0.4  
0.6  
0.8  
1.0  
2.0  
1
2
3
4
5
0.0100  
0.0065  
0.0250  
0.0615  
0.0270  
0.00014  
0.01900  
0.18000  
0.52000  
1.60000  
dc =  
1
0.5  
280 0.4  
0.33  
350  
0.12  
ZthJC  
0.08  
[K/W]  
Ptot  
210  
[W]  
140  
0.17  
0.08  
0.04  
70  
0
0.00  
1
10  
100  
t [ms]  
1000  
10000  
0
80  
160 240 320 0  
70  
Tamb [°C]  
140  
IT(AV) [A]  
Fig. 8 Transient thermal impedance junction to case  
vs. time per thyristor  
Fig. 7 Power dissipation vs. forward current  
and ambient temperature per thyristor  
IXYS reserves the right to change limits, conditions and dimensions.  
Data according to IEC 60747and per semiconductor unless otherwise specified  
20190618d  
© 2019 IXYS all rights reserved  

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