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MCMA260PD1800YB

更新时间： 2024-02-20 06:13:00

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力特 - LITTELFUSE		/
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描述
Silicon Controlled Rectifier,

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MCMA260PD1800YB 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.73	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	触发设备类型：	SCR
Base Number Matches：	1

MCMA260PD1800YB 数据手册

MCMA260PD1800YB

Ratings

Rectifier

Symbol

V_RSM/DSM

Definition

Conditions

min. typ. max. Unit

T_VJ= 25°C

T_VJ= 140°C

T_VJ= 25°C

1900

1800

300

max. non-repetitive reverse/forward blocking voltage

max. repetitive reverse/forward blocking voltage

V_RRM/DRM

I_R/D

V_R/D=1800 V

I_T= 200 A

I_T= 400 A

I_T= 200 A

I_T= 400 A

T_C= 85°C

180° sine

µA

reverse current, drain current

20 mA

forward voltage drop

1.12

V_T

1.33

1.06

1.31

260

T_VJ

°C

125

average forward current

RMS forward current

T_VJ= 140°C

I_TAV

I_T(RMS)

V_T0

408

0.81

threshold voltage

for power loss calculation only

slope resistance

1.23 mΩ

0.13 K/W

K/W

r_T

R_thJC

R_thCH

P_tot

thermal resistance junction to case

thermal resistance case to heatsink

0.07

T_C= 25°C

T_VJ= 45°C

V_R= 0 V

880

8.30

8.97

7.06

7.62

total power dissipation

max. forward surge current

t = 10 ms; (50 Hz), sine

t = 8,3 ms; (60 Hz), sine

t = 10 ms; (50 Hz), sine

t = 8,3 ms; (60 Hz), sine

t = 10 ms; (50 Hz), sine

t = 8,3 ms; (60 Hz), sine

t = 10 ms; (50 Hz), sine

t = 8,3 ms; (60 Hz), sine

V_R= 400V f = 1 MHz

t_P= 30 µs

I_TSM

T_VJ= 140°C

V_R= 0 V

value for fusing

T_VJ= 45°C

V_R= 0 V

I²t

344.5 kA²s

334.3 kA²s

248.9 kA²s

241.6 kA²s

T_VJ= 140°C

V_R= 0 V

junction capacitance

T_VJ= 25°C

T_C= 140°C

366

C_J

120

P_GM

max. gate power dissipation

t_P= 500 µs

P_GAV

average gate power dissipation

critical rate of rise of current

T_VJ= 140°C; f = 50 Hz

repetitive, I_T= 780 A

100 A/µs

(di/dt)_cr

0.5

t_P= 200 µs;di_G/dt =

A/µs;

I_G= 0.5A; V = ⅔ V_DRM

V = ⅔ V_DRM

non-repet., I_T= 260 A

T_VJ= 140°C

500 A/µs

critical rate of rise of voltage

gate trigger voltage

1000 V/µs

(dv/dt)_cr

V_GT

R_GK= ∞; method 1 (linear voltage rise)

V_D= 6 V

T_VJ= 25°C

T_VJ= -40°C

T_VJ= 25°C

T_VJ= -40°C

T_VJ= 140°C

gate trigger current

V_D= 6 V

150 mA

220 mA

I_GT

gate non-trigger voltage

gate non-trigger current

latching current

V_D= ⅔ V_DRM

t_p= 30 µs

0.25

V_GD

I_GD

I_L

10 mA

T_VJ= 25°C

200 mA

I_G

0.5A; di_G/dt = 0.5 A/µs

holding current

V_D= 6 V R_GK= ∞

T_VJ= 25°C

150 mA

I_H

gate controlled delay time

V_D= ½ V

µs

t_gd

DRM

I_G

V_R= 100 V; I_T= 260A; V = ⅔ V_DRMT_VJ=125 °C

di/dt = 10 A/µs dv/dt = 50 V/µs µs

0.5A; di_G/dt = 0.5 A/µs

turn-off time

200

µs

t_q

t_p= 200

IXYS reserves the right to change limits, conditions and dimensions.

Data according to IEC 60747and per semiconductor unless otherwise specified

20190618d

123 4 5

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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