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MCMA260P1600YA

更新时间： 2024-01-24 08:40:00

品牌	Logo	应用领域
IXYS		局域网栅栅极
页数	文件大小	规格书
5页	208K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 412A I(T)RMS, 262000mA I(T), 1600V V(DRM), 1600V V(RRM), 2 Element, ROHS COMPLIANT, Y4, 7 PIN

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MCMA260P1600YA 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	包装说明：	ROHS COMPLIANT, Y4, 7 PIN
针数：	7	Reach Compliance Code：	compliant
HTS代码：	8541.30.00.80	风险等级：	5.68
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS
最大直流栅极触发电流：	150 mA	最大直流栅极触发电压：	3 V
快速连接描述：	2G-2GR	螺丝端子的描述：	A-K-AK
最大维持电流：	150 mA	JESD-30 代码：	R-CUFM-X5
最大漏电流：	30 mA	元件数量：	2
端子数量：	5	最大通态电流：	262000 A
最高工作温度：	140 °C	最低工作温度：	-40 °C
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
认证状态：	Not Qualified	最大均方根通态电流：	412 A
断态重复峰值电压：	1600 V	重复峰值反向电压：	1600 V
子类别：	Silicon Controlled Rectifiers	表面贴装：	NO
端子形式：	UNSPECIFIED	端子位置：	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	触发设备类型：	SCR
Base Number Matches：	1

MCMA260P1600YA 数据手册

MCMA260P1600YA

Thyristor

400

7000

6000

10⁶

V_R= 0 V

50 Hz, 80% V_RRM

300

T_VJ= 45°C

I_TSM

5000

[A]

I_T

I²t

T_VJ= 45°C

T_VJ= 140°C

200

10⁵

[A]

[A²s]

T_VJ= 125°C

140°C

100

4000

3000

T_VJ= 140°C

T_VJ= 25°C

1.0

0.0

10⁴

0.5

1.5

0.01

0.1

5 6 7 8 910

V_T[V]

t [s]

t [ms]

Fig. 3 I²t vs. time per thyristor

Fig. 2 Surge overload current

vs. time per thyristor

Fig. 1 Forward current vs.

voltage drop per thyristor

100.0

10.0

320

1: I_GT, T_VJ= 125°C

dc =

0.5

0.4

0.33

0.17

0.08

2: I_GT, T_VJ= 25°C

3: I_GT, T_VJ= -40°C

240

T_VJ= 125°C

t_gd

I_TAVM

V_G

[V]

160

[A]

lim.

typ.

[μs]

1.0

0.1

4: P_GM= 20 W

5: P_GM= 60 W

6: P_GM= 120 W

I_GD, T_VJ= 140°C

0.1

10^-310^-210^-110⁰10¹10²

0.01

0.10

1.00

I_G[A]

10.00

120

160

I_G[A]

T_case[°C]

Fig. 6 Max. forward current vs.

case temperature per thyr.

Fig. 5 Gate controlled delay time t_gd

Fig. 4 Gate voltage & gate current

0.16

420

R_thi(K/W)

t_i(s)

0.0100

0.0065

0.0250

0.0615

0.0270

0.00014

0.01900

0.18000

0.52000

1.60000

dc =

0.5

280 0.4

0.33

350

R_thHA

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

2.0

0.12

Z_thJC

P_tot

210

[W]

140

0.17

0.08

[K/W]

0.04

0.00

100

t [ms]

1000

10000

160 240 320 0

T_amb[°C]

140

I_T(AV)[A]

Fig. 8 Transient thermal impedance junction to case

vs. time per thyristor

Fig. 7 Power dissipation vs. forward current

and ambient temperature per thyristor

IXYS reserves the right to change limits, conditions and dimensions.

Data according to IEC 60747and per semiconductor unless otherwise specified

20160408b

1 2 3 45

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与MCMA260P1600YA相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MCMA260PD1600YB	LITTELFUSE	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 412A I(T)RMS, 262000mA I(T), 1600V V(DRM), 1600V V(RRM), 1 E
MCMA260PD1800YB	LITTELFUSE	获取价格	Silicon Controlled Rectifier,
MCMA260PD1800YB	IXYS	获取价格	Silicon Controlled Rectifier,
MCMA265P1600KA	LITTELFUSE	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 421A I(T)RMS, 1600V V(DRM), 1600V V(RRM), 2 Element, ROHS CO
MCMA265P1600KA	IXYS	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 421A I(T)RMS, 1600V V(DRM), 1600V V(RRM), 2 Element, ROHS CO
MCMA265PD1600KB	LITTELFUSE	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 421A I(T)RMS, 1600V V(DRM), 1600V V(RRM), 1 Element, ROHS CO
MCMA265PD1600KB	IXYS	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 421A I(T)RMS, 1600V V(DRM), 1600V V(RRM), 1 Element, ROHS CO
MCMA300MC1600PSF	LITTELFUSE	获取价格	交流开关三端双向可控硅系列为单相和三相应用提供完全受控的解决方案。
MCMA35P1200TA	LITTELFUSE	获取价格	双晶闸管模块产品组合提供多种封装和高达2200V的击穿电压。
MCMA35P1600TA	LITTELFUSE	获取价格	双晶闸管模块产品组合提供多种封装和高达2200V的击穿电压。

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