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MCMA260P1600YA

更新时间： 2024-01-26 21:38:08
品牌 Logo 应用领域
IXYS 局域网栅栅极
页数 文件大小 规格书
5页 208K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 412A I(T)RMS, 262000mA I(T), 1600V V(DRM), 1600V V(RRM), 2 Element, ROHS COMPLIANT, Y4, 7 PIN

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MCMA260P1600YA 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred包装说明：ROHS COMPLIANT, Y4, 7 PIN
针数：7Reach Compliance Code：compliant
HTS代码：8541.30.00.80风险等级：5.68
外壳连接：ISOLATED配置：SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS
最大直流栅极触发电流：150 mA最大直流栅极触发电压：3 V
快速连接描述：2G-2GR螺丝端子的描述：A-K-AK
最大维持电流：150 mAJESD-30 代码：R-CUFM-X5
最大漏电流：30 mA元件数量：2
端子数量：5最大通态电流：262000 A
最高工作温度：140 °C最低工作温度：-40 °C
封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified最大均方根通态电流：412 A
断态重复峰值电压：1600 V重复峰值反向电压：1600 V
子类别：Silicon Controlled Rectifiers表面贴装：NO
端子形式：UNSPECIFIED端子位置：UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED触发设备类型：SCR
Base Number Matches：1

MCMA260P1600YA 数据手册

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MCMA260P1600YA  
Ratings  
Thyristor  
Symbol  
VRSM/DSM  
Definition  
Conditions  
min. typ. max. Unit  
TVJ = 25°C  
TVJ = 25°C  
TVJ = 25°C  
TVJ = 140°C  
TVJ = 25°C  
1700  
1600  
300  
V
V
max. non-repetitive reverse/forward blocking voltage  
max. repetitive reverse/forward blocking voltage  
VRRM/DRM  
IR/D  
VR/D =1600 V  
VR/D =1600 V  
IT = 200 A  
IT = 400 A  
IT = 200 A  
IT = 400 A  
TC = 85°C  
180° sine  
µA  
reverse current, drain current  
20 mA  
forward voltage drop  
1.12  
V
V
V
V
A
A
V
VT  
1.33  
1.06  
1.31  
260  
TVJ  
=
°C  
125  
average forward current  
RMS forward current  
TVJ = 140°C  
TVJ = 140°C  
ITAV  
IT(RMS)  
VT0  
408  
0.81  
threshold voltage  
for power loss calculation only  
slope resistance  
1.23 mΩ  
0.13 K/W  
K/W  
rT  
RthJC  
RthCH  
Ptot  
thermal resistance junction to case  
thermal resistance case to heatsink  
0.08  
TC = 25°C  
TVJ = 45°C  
VR = 0 V  
880  
8.30  
8.97  
7.06  
7.62  
W
kA  
kA  
kA  
kA  
total power dissipation  
max. forward surge current  
t = 10 ms; (50 Hz), sine  
t = 8,3 ms; (60 Hz), sine  
t = 10 ms; (50 Hz), sine  
t = 8,3 ms; (60 Hz), sine  
t = 10 ms; (50 Hz), sine  
t = 8,3 ms; (60 Hz), sine  
t = 10 ms; (50 Hz), sine  
t = 8,3 ms; (60 Hz), sine  
VR = 400V f = 1 MHz  
tP = 30 µs  
ITSM  
TVJ = 140°C  
VR = 0 V  
value for fusing  
TVJ = 45°C  
VR = 0 V  
I²t  
344.5 kA²s  
334.3 kA²s  
248.9 kA²s  
241.6 kA²s  
pF  
TVJ = 140°C  
VR = 0 V  
junction capacitance  
TVJ = 25°C  
TC = 140°C  
366  
CJ  
120  
60  
W
W
W
PGM  
max. gate power dissipation  
tP = 500 µs  
20  
PGAV  
average gate power dissipation  
critical rate of rise of current  
TVJ = 140°C; f = 50 Hz  
repetitive, IT = 780 A  
100 A/µs  
(di/dt)cr  
0.5  
tP = 200 µs;diG /dt =  
A/µs;  
IG = 0.5A; V = ⅔ VDRM  
V = ⅔ VDRM  
non-repet., IT = 500 A  
TVJ = 140°C  
260 A/µs  
critical rate of rise of voltage  
gate trigger voltage  
1000 V/µs  
(dv/dt)cr  
VGT  
RGK = ∞; method 1 (linear voltage rise)  
VD = 6 V  
TVJ = 25°C  
TVJ = -40°C  
TVJ = 25°C  
TVJ = -40°C  
TVJ = 140°C  
2
3
V
V
gate trigger current  
VD = 6 V  
150 mA  
220 mA  
IGT  
gate non-trigger voltage  
gate non-trigger current  
latching current  
VD = ⅔ VDRM  
tp = 30 µs  
0.25  
V
VGD  
IGD  
IL  
10 mA  
TVJ = 25°C  
200 mA  
IG  
=
0.5A; diG/dt = 0.5 A/µs  
holding current  
VD = 6 V RGK = ∞  
TVJ = 25°C  
TVJ = 25°C  
150 mA  
IH  
gate controlled delay time  
VD = ½ V  
2
µs  
tgd  
DRM  
IG  
VR = 100 V; IT = 260 A; V = ⅔ VDRM TVJ =125 °C  
di/dt = 10 A/µs dv/dt = 50 V/µs µs  
=
0.5A; diG/dt = 0.5 A/µs  
turn-off time  
200  
µs  
tq  
tp = 200  
IXYS reserves the right to change limits, conditions and dimensions.  
Data according to IEC 60747and per semiconductor unless otherwise specified  
20160408b  
© 2016 IXYS all rights reserved  
12345

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MCMA260PD1600YB LITTELFUSE

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 		Silicon Controlled Rectifier, 412A I(T)RMS, 262000mA I(T), 1600V V(DRM), 1600V V(RRM), 1 E
MCMA260PD1800YB LITTELFUSE

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 		Silicon Controlled Rectifier,
MCMA260PD1800YB IXYS

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 		Silicon Controlled Rectifier,
MCMA265P1600KA LITTELFUSE

获取价格

 		Silicon Controlled Rectifier, 421A I(T)RMS, 1600V V(DRM), 1600V V(RRM), 2 Element, ROHS CO
MCMA265P1600KA IXYS

获取价格

 		Silicon Controlled Rectifier, 421A I(T)RMS, 1600V V(DRM), 1600V V(RRM), 2 Element, ROHS CO
MCMA265PD1600KB LITTELFUSE

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 		Silicon Controlled Rectifier, 421A I(T)RMS, 1600V V(DRM), 1600V V(RRM), 1 Element, ROHS CO
MCMA265PD1600KB IXYS

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 		Silicon Controlled Rectifier, 421A I(T)RMS, 1600V V(DRM), 1600V V(RRM), 1 Element, ROHS CO
MCMA300MC1600PSF LITTELFUSE

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 		交流开关三端双向可控硅系列为单相和三相应用提供完全受控的解决方案。
MCMA35P1200TA LITTELFUSE

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 		双晶闸管模块产品组合提供多种封装和高达2200V的击穿电压。
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