Datasheet > MCM511000BZ80

MCM511000BZ80

更新时间： 2024-01-05 07:19:28

品牌	Logo	应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA		动态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
15页	480K
描述
1MX1 FAST PAGE DRAM, 80ns, PZIP20, 2.54 MM PITCH, PLASTIC, ZIP-20

阅读下载

获取价格

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

MCM511000BZ80 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	ZIP, ZIP20,.1	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.02
风险等级：	5.9	访问模式：	FAST PAGE
最长访问时间：	80 ns	其他特性：	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
I/O 类型：	SEPARATE	JESD-30 代码：	R-PZIP-T20
JESD-609代码：	e0	长度：	25.715 mm
内存密度：	1048576 bit	内存集成电路类型：	FAST PAGE DRAM
内存宽度：	1	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	20
字数：	1048576 words	字数代码：	1000000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	1MX1
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	ZIP	封装等效代码：	ZIP20,.1
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	5 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	512
座面最大高度：	10.16 mm	最大待机电流：	0.001 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	0.07 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	ZIG-ZAG
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	2.85 mm
Base Number Matches：	1

12 3 4 5 6 7...15

下载PDF

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
MCM511000J10	MOTOROLA	Fast Page DRAM, 1MX1, 100ns, CMOS, PDSO20, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-26/20	获取价格
MCM511000J12	MOTOROLA	1MX1 FAST PAGE DRAM, 120ns, PDSO20, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-26/20	获取价格
MCM511000J85	MOTOROLA	1MX1 FAST PAGE DRAM, 85ns, PDSO20, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-26/20	获取价格
MCM511000P10	MOTOROLA	1MX1 FAST PAGE DRAM, 100ns, PDIP18, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-18	获取价格
MCM511000P85	MOTOROLA	Fast Page DRAM, 1MX1, 85ns, CMOS, PDIP18, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-18	获取价格
MCM511001AJ10	MOTOROLA	1MX1 NIBBLE MODE DRAM, 100ns, PDSO20, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-20	获取价格