Datasheet > MCM511001AJ80

MCM511001AJ80

更新时间： 2024-02-16 05:48:30

品牌	Logo	应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA		动态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
15页	483K
描述
1MX1 NIBBLE MODE DRAM, 80ns, PDSO20, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-20

阅读下载

获取价格

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

MCM511001AJ80 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOJ
包装说明：	SOJ, SOJ20/26,.34	针数：	20
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.02	风险等级：	5.67
访问模式：	NIBBLE	最长访问时间：	80 ns
其他特性：	RAS ONLY; CAS BEFORE RAS; HIDDEN REFRESH	I/O 类型：	SEPARATE
JESD-30 代码：	R-PDSO-J20	JESD-609代码：	e0
长度：	17.145 mm	内存密度：	1048576 bit
内存集成电路类型：	NIBBLE MODE DRAM	内存宽度：	1
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	20	字数：	1048576 words
字数代码：	1000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	1MX1	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	SOJ
封装等效代码：	SOJ20/26,.34	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	电源：	5 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	512
座面最大高度：	3.75 mm	最大待机电流：	0.001 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	0.07 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	J BEND
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	DUAL
宽度：	7.62 mm	Base Number Matches：	1

12 3 4 5 6 7...15

下载PDF

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
MCM511001AP10	MOTOROLA	1MX1 NIBBLE MODE DRAM, 100ns, PDIP18, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-18	获取价格
MCM511001AP70	MOTOROLA	1MX1 NIBBLE MODE DRAM, 70ns, PDIP18, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-18	获取价格
MCM511001AP80	MOTOROLA	Nibble Mode DRAM, 1MX1, 80ns, CMOS, PDIP18, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-18	获取价格
MCM511001AP85	MOTOROLA	Nibble Mode DRAM, 1MX1, 85ns, CMOS, PDIP18	获取价格
MCM511001AZ10	MOTOROLA	Nibble Mode DRAM, 1MX1, 100ns, CMOS, PZIP20, 2.54 MM PITCH, PLASTIC, ZIP-20	获取价格
MCM511001AZ70	MOTOROLA	Nibble Mode DRAM, 1MX1, 70ns, CMOS, PZIP20, 2.54 MM PITCH, PLASTIC, ZIP-20	获取价格