MC10EL51D

更新时间： 2024-01-07 05:40:36

品牌	Logo	应用领域
安森美 - ONSEMI		触发器逻辑集成电路光电二极管
页数	文件大小	规格书
20页	203K
描述
Evaluation Board Manual for High Frequency SOIC 8

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册
替代型号

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

MC10EL51D 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	End Of Life
零件包装代码：	SOIC	包装说明：	TSSOP, TSSOP8,.19
针数：	8	Reach Compliance Code：	compliant
HTS代码：	8542.39.00.01	Factory Lead Time：	1 week
风险等级：	5.92	Is Samacsys：	N
其他特性：	NECL MODE: VCC = 0V WITH VEE = -4.2V TO -5.7V	系列：	10EL
JESD-30 代码：	S-PDSO-G8	JESD-609代码：	e3
长度：	3 mm	逻辑集成电路类型：	D FLIP-FLOP
最大频率@ Nom-Sup：	2200000000 Hz	湿度敏感等级：	3
位数：	1	功能数量：	1
端子数量：	8	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	输出极性：	COMPLEMENTARY
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSSOP
封装等效代码：	TSSOP8,.19	封装形状：	SQUARE
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH	包装方法：	RAIL
峰值回流温度（摄氏度）：	260	电源：	-5.2 V
最大电源电流（ICC）：	29 mA	Prop。Delay @ Nom-Sup：	0.62 ns
传播延迟（tpd）：	0.565 ns	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.1 mm	子类别：	FF/Latches
最大供电电压 (Vsup)：	5.7 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.2 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	ECL	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.65 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	触发器类型：	POSITIVE EDGE
宽度：	3 mm	最小 fmax：	2200 MHz
Base Number Matches：	1

MC10EL51D 数据手册

ECLSOIC8EVB

Evaluation Board Manual

for High Frequency SOIC 8

http://onsemi.com

EVALUATION BOARD MANUAL

Board Lay−Up

INTRODUCTION

The 8−lead SOIC evaluation board is implemented in four

layers with split (dual) power supplies (Figure 2.

Evaluation Board Lay−up). For standard ECL lab setup and

test, a split (dual) power supply is essential to enable the

50 W internal impedance in the oscilloscope as a termination

for ECL devices. The first layer or primary trace layer is

0.008″ thick Rogers RO4003 material, which is designed to

have equal electrical length on all signal traces from the

device under the test (DUT) to the sense output. The second

layer is the 1.0 oz copper ground plane and a portion of the

ON Semiconductor has developed an evaluation board for

the devices in 8−lead SOIC package. These evaluation

boards are offered as a convenience for the customers

interested in performing their own engineering assessment

on the general performance of the 8−lead SOIC device

samples. The board provides a high bandwidth 50 W

controlled impedance environment. The pictures in Figure 1

show the top and bottom view of the evaluation board, which

can be configured in several different ways, depending on

device under test (See Table 1. Configuration List).

This evaluation board manual contains:

plane is the V power plane. The FR4 dielectric material is

placed between second and third layer and between third and

fourth layer. The third layer is also 1.0 oz copper ground

• Information on 8−lead SOIC Evaluation Board

• Assembly Instructions

• Appropriate Lab Setup

plane and a portion of this layer is V power plane. The

fourth layer is the secondary trace layer.

• Bill of Materials

This manual should be used in conjunction with the device

data sheet, which contains full technical details on the device

specifications and operation.

Figure 1. Top and Bottom View of the 8−lead SOIC Evaluation Board

Semiconductor Components Industries, LLC, 2004

Publication Order Number:

August, 2004 − Rev. 1

ECLSOIC8EVB/D

12 3 4 5 6 7...20

中文翻译

下载PDF

MC10EL51D 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
MC100EP52DG	ONSEMI	类似代替	3.3V / 5V ECL Differential Data and Clock D Flip−Flop
MC10EL31DG	ONSEMI	类似代替	5 V ECL D Flip-Flop With Set and Reset
MC10EL51DG	ONSEMI	类似代替	5V ECL Differential Clock D Flip-Flop

与MC10EL51D相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MC10EL51DG	ONSEMI	获取价格	5V ECL Differential Clock D Flip-Flop
MC10EL51DR2	ONSEMI	获取价格	Differential Clock D Flip-Flop
MC10EL51DR2G	ONSEMI	获取价格	5V ECL Differential Clock D Flip-Flop
MC10EL51DT	ONSEMI	获取价格	5V ECL Differential Clock D Flip-Flop
MC10EL51DTG	ONSEMI	获取价格	5V ECL Differential Clock D Flip-Flop
MC10EL51DTR2	ONSEMI	获取价格	5V ECL Differential Clock D Flip-Flop
MC10EL51DTR2G	ONSEMI	获取价格	5V ECL Differential Clock D Flip-Flop
MC10EL51MNR4	ONSEMI	获取价格	5V ECL Differential Clock D Flip-Flop
MC10EL51MNR4G	ONSEMI	获取价格	5V ECL Differential Clock D Flip-Flop
MC10EL52	ONSEMI	获取价格	Differential Data and Clock D Flip-Flop

与MC10EL51D相关文章

BSS138LT3G：一款高效能N沟道MOSFET的全面解析
2024-07-04

3
解读EGP10B二极管资料手册：产品特性、参数分析
2024-07-04

3
RT9164AGG手册资料详解：引脚信息、设计指南
2024-07-04

3
2SA1037KPT资料详解：产品特性、电气参数、设计指南
2024-07-04

3

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

MC10EL51D

MC10EL51D 技术参数

MC10EL51D 数据手册

MC10EL51D 替代型号

与MC10EL51D相关器件

与MC10EL51D相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

MC10EL51D

MC10EL51D 技术参数

MC10EL51D 数据手册

MC10EL51D 替代型号

与MC10EL51D相关器件

与MC10EL51D相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？