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MBR60150PT

更新时间： 2024-02-09 01:54:53

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SIRECT		局域网功效瞄准线二极管
页数	文件大小	规格书
3页	126K
描述
High Tjm Low IRRM Schottky Barrier Diodes

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MBR60150PT 技术参数

生命周期：	Obsolete	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.68
Is Samacsys：	N	Base Number Matches：	1

MBR60150PT 数据手册

MBR60100PT

1000

100

1000

TJ=175

TJ=150

TJ=125

℃

J=100℃

=75

℃

0.1

J=50

J=25

℃

100

0.01

0.001

(V)

100

REVERSE VOLTAGE, V

=175

℃

J=125

Figure 2. Typical Values Of Reverse Current

Vs. Reverse Voltage (PerLeg)

=25℃

10000

J=25℃

1000

0.3

0.6

0.9

1.2

1.5

100

120

FORWARD VOLTAGE DROP, VFM(V)

REVERSE VOLTAGE, VR(V)

Figure 1. Max. Forward Voltage Drop

Characteristics (PerLeg)

Figure 3. Typical Junction Capacitance Vs.

Reverse Voltage (PerLeg)

D = 0.75

D = 0.50

D = 0.33

D = 0.25

D = 0.20

0.1

PDM

Notes:

1.Duty factor D = t1 / t2

2.Peak = PDM x ZthJC + TC

SINGLE PULSE

(THERMAL RESISTANCE)

0.01

0.0000

0.0001

0.001

0.01

0.1

100

t1, RECTANGULAR PULSE DURATION (SECONDS)

Figure 4. Max. Thermal Impedance ZthJC Characteristics (PerLeg)

http:// www.sirectsemi.com

123

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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