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MBR2535CTL

更新时间： 2024-02-23 19:49:37
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摩托罗拉 - MOTOROLA 二极管局域网
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4页 69K
描述
SWITCHMODE™ Power Rectifier

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MBR2535CTL 技术参数

生命周期：Transferred包装说明：R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.45
其他特性：FREE WHEELING DIODE应用：POWER
外壳连接：CATHODE配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.55 VJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e0
最大非重复峰值正向电流：150 A元件数量：2
相数：1端子数量：3
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-65 °C
最大输出电流：12.5 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：35 V
最大反向电流：5000 µA子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：NO技术：SCHOTTKY
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLEBase Number Matches：1

MBR2535CTL 数据手册

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by MBR2535CTL/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
. . . employing the Schottky Barrier principle in a large metal–to–silicon power  
diode. State–of–the–art geometry features epitaxial construction with oxide  
passivation and metal overlay contact. Ideally suited for use in low voltage, high  
frequency switching power supplies, free wheeling diodes, and polarity  
protection diodes.  
•
•
Very Low Forward Voltage (0.55 V Maximum @ 25 Amps)  
SCHOTTKY BARRIER  
RECTIFIER  
Matched Dual Die Construction (12.5 A per Leg or 25 A per  
Package)  
25 AMPERES  
35 VOLTS  
•
•
Guardring for Stress Protection  
Highly Stable Oxide Passivated Junction (125°C Operating  
Junction Temperature)  
4
•
Epoxy Meets UL94, VO at 1/8″  
Mechanical Characteristics  
•
•
•
Case: Epoxy, Molded  
1
3
Weight: 1.9 grams (approximately)  
2, 4  
Finish: All External Surfaces Corrosion Resistant and Terminal  
Leads are Readily Solderable  
1
2
3
•
Lead Temperature for Soldering Purposes: 260°C Max. for 10  
Seconds  
CASE 221A–06  
(TO–220AC)  
•
•
Shipped 50 units per plastic tube  
Marking: B2535L  
MAXIMUM RATINGS (PER LEG)  
Rating  
Symbol  
Value  
Unit  
Peak Repetitive Reverse Voltage  
Working Peak Reverse Voltage  
DC Blocking Voltage  
V
V
35  
35  
35  
Volts  
RRM  
RWM  
R
V
Average Rectified Forward Current (Rated V ) T = 110°C  
I
F(AV)  
12.5  
25  
Amps  
Amps  
R
C
Peak Repetitive Forward Current, Per Leg  
I
FRM  
(Rated V , Square Wave, 20 kHz) T = 95°C  
R
C
Nonrepetitive Peak Surge Current  
I
150  
Amps  
FSM  
(Surge applied at rated load conditions, halfwave, single phase, 60 Hz)  
Peak Repetitive Reverse Surge Current (2.0 µs, 1.0 kHz)  
Operating Junction Temperature  
I
1.0  
–65 to +125  
–65 to +150  
10,000  
Amp  
°C  
RRM  
T
J
Storage Temperature  
T
°C  
stg  
dv/dt  
Voltage Rate of Change (Rated V )  
R
V/µs  
mJ  
Controlled Avalanche Energy  
W
20  
aval  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Thermal Resistance — Junction to Case  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
Maximum Instantaneous Forward Voltage (1)  
R
2.0  
°C/W  
θJC  
V
Volts  
F
(I = 25 Amps, T = 25°C)  
0.55  
0.47  
0.41  
F
F
J
(I = 12.5 Amps, T = 25°C)  
J
(I = 12.5 Amps, T = 125°C)  
F
J
Maximum Instantaneous Reverse Current (1)  
(Rated dc Voltage, T = 25°C)  
I
R
mA  
5.0  
500  
J
(Rated dc Voltage, T = 125°C)  
J
(1) Pulse Test: Pulse Width = 300 µs, Duty Cycle ≤ 2.0%.  
SWITCHMODE is a trademark of Motorola, Inc.  
Rev 1  
Motorola, Inc. 1996  
1234

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