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MBR20U150CT

更新时间： 2024-02-06 18:31:08
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KEC 二极管瞄准线功效局域网
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1页 27K
描述
SCHOTTKY BARRIER TYPE DIODE

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MBR20U150CT 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Contact Manufacturer
包装说明：R-PSFM-T3Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.72其他特性：LOW POWER LOSS
应用：EFFICIENCY外壳连接：ISOLATED
配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.84 V
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
最大非重复峰值正向电流：150 A元件数量：2
相数：1端子数量：3
最高工作温度：175 °C最低工作温度：-65 °C
最大输出电流：10 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED最大重复峰值反向电压：150 V
最大反向电流：10 µA表面贴装：NO
技术：SCHOTTKY端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

MBR20U150CT 数据手册

  
SEMICONDUCTOR  
MBR20U150CT  
SCHOTTKY BARRIER TYPE DIODE  
TECHNICAL DATA  
SWITCHING TYPE POWER SUPPLY APPLICATION.  
CONVERTER & CHOPPER APPLICATION.  
A
O
FEATURES  
C
F
· Average Output Rectified Current  
: IO=20A.  
DIM MILLIMETERS  
E
I
_
9.9 + 0.2  
G
Q
A
B
C
D
E
F
15.95 MAX  
1.3+0.1/-0.05  
B
· Repetitive Peak Reverse Voltage  
: VRRM=150V.  
_
0.8+ 0.1  
_
3.6 0.2  
+
_
2.8+ 0.1  
· Fast Reverse Recovery Time : trr=35ns.  
K
P
3.7  
G
H
I
0.5+0.1/-0.05  
1.5  
M
N
L
J
_
13.08+ 0.3  
J
D
K
L
M
N
O
P
1.46  
_
1.4 + 0.1  
H
N
_
1.27+ 0.1  
_
2.54+ 0.2  
_
MAXIMUM RATING (Ta=25℃)  
+
4.5 0.2  
_
+
2.4 0.2  
_
9.2 + 0.2  
CHARACTERISTIC  
SYMBOL  
VRRM  
RATING  
150  
UNIT  
V
Q
1. ANODE  
2. CATHODE  
3. ANODE  
Repetitive Peak Reverse Voltage  
Average Output Rectified  
Current (Note)  
IO  
20  
A
A
TO-220AB  
Peak One Cycle Surge Forward  
Current (Non-Repetitive 60Hz)  
IFSM  
180  
Tj  
Junction Temperature  
-40∼ 150  
-55∼ 150  
℃
℃
Tstg  
Storage Temperature Range  
Note : average forward current of centertap full wave connection.  
2
1
3
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25℃)  
CHARACTERISTIC  
SYMBOL  
VFM  
TEST CONDITION  
MIN.  
-
TYP.  
-
MAX.  
0.90  
UNIT  
IFM=10A  
Peak Forward Voltage  
(Note)  
V
Repetitive Peak  
Reverse Current  
IRRM  
VRRM=Rated  
-
-
50  
㎂
(Note)  
(Note)  
trr  
Reverse Recovery Time  
Thermal Resistance  
IF=1.0A, di/dt=-30A/㎲  
-
-
-
-
35  
ns  
Rth(j-c)  
(Note)  
Juction to Case  
1.5  
℃/W  
Note : A value of one cell  
2009. 3. 2  
Revision No : 0  
1/1  
1

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