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MBR1635

更新时间： 2024-01-20 00:01:03
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页数 文件大小 规格书
2页 68K
描述
16A SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER

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MBR1635 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.63
应用：GENERAL PURPOSE外壳连接：CATHODE
配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.63 V
JEDEC-95代码：TO-220ACJESD-30 代码：R-PSFM-T2
最大非重复峰值正向电流：150 A元件数量：2
相数：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-65 °C
最大输出电流：8 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED最大重复峰值反向电压：35 V
最大反向电流：200 µA表面贴装：NO
技术：SCHOTTKY端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

MBR1635 数据手册

 浏览型号MBR1635的Datasheet PDF文件第2页 
MBR1630 - MBR1660  
16A SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER  
Features  
·
·
Schottky Barrier Chip  
Guard Ring Die Construction for  
Transient Protection  
TO-220AC  
·
·
·
Low Power Loss, High Efficiency  
High Surge Capability  
High Current Capability and Low Forward  
Voltage Drop  
For Use in Low Voltage, High Frequency  
Inverters, Free Wheeling, and Polarity  
Protection Applications  
Plastic Material: UL Flammability  
Classification Rating 94V-0  
Dim  
A
B
C
D
E
Min  
14.22  
9.65  
2.54  
5.84  
¾
Max  
15.88  
10.67  
3.43  
L
B
M
C
D
E
·
·
K
6.86  
A
6.35  
Pin 1  
Pin 2  
G
J
12.70  
0.51  
14.73  
1.14  
K
L
3.53Æ 4.09Æ  
G
Mechanical Data  
J
N
3.56  
1.14  
0.30  
2.03  
4.83  
4.83  
1.40  
0.64  
2.92  
5.33  
·
·
Case: Molded Plastic  
Terminals: Plated Leads Solderable per  
MIL-STD-202, Method 208  
M
N
P
R
P
+
Pin 1 +  
Pin 2 -  
·
·
·
·
Polarity: See Diagram  
Case  
R
Weight: 2.24 grams (approx.)  
Mounting Position: Any  
Marking: Type Number  
All Dimensions in mm  
@ TA = 25°C unless otherwise specified  
Maximum Ratings and Electrical Characteristics  
Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.  
For capacitive load, derate current by 20%.  
MBR  
1630  
MBR  
1635  
MBR  
1640  
MBR  
1645  
MBR  
1650  
MBR  
1660  
Characteristic  
Symbol  
Unit  
VRRM  
VRWM  
VR  
Peak Repetitive Reverse Voltage  
Working Peak Reverse Voltage  
DC Blocking Voltage  
30  
21  
35  
40  
28  
45  
50  
35  
60  
42  
V
VR(RMS)  
IO  
RMS Reverse Voltage  
24.5  
31.5  
V
A
Average Rectified Output Current  
(Note 1)  
16  
@ TC = 125°C  
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current 8.3ms  
single half sine-wave superimposed on rated load  
(JEDEC Method)  
IFSM  
150  
A
Forward Voltage Drop  
@ IF =16A, TC = 25°C  
@IF =16A, TC = 125°C  
0.63  
0.57  
0.75  
0.65  
VFM  
IRM  
V
Peak Reverse Current  
at Rated DC Blocking Voltage  
@TC 25°C  
=
0.2  
40  
1.0  
50  
mA  
@ TC = 125°C  
Cj  
Typical Junction Capacitance (Note 2)  
450  
pF  
°C/W  
V/ms  
°C  
RqJc  
Typical Thermal Resistance Junction to Case (Note 1)  
Voltage Rate of Change (Rated VR)  
1.5  
3
dV/dt  
Tj, TSTG  
1000  
10,000  
Operating and Storage Temperature Range  
-65 to +150  
Notes:  
1.Thermal resistance junction to case mounted on heatsink.  
2. Measured at 1.0MHz and applied reverse voltage of 4.0V DC.  
DS23011 Rev. F-2  
1 of 2  
MBR1630-MBR1660  
12

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MBR1635 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
MBR1635HE3/45 VISHAY

功能相似

 DIODE SCHOTTKY 35V 16A TO220AB

与MBR1635相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MBR1635/45-E3 VISHAY

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 		DIODE 16 A, 35 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AC, PLASTIC PACKAGE-2, Rectifier Diode
MBR1635_1 TSC

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 		16.0 AMPS. Schottky Barrier Rectifiers
MBR1635_10 TSC

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