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MBM29LV080A-90PTN-E1

更新时间： 2024-01-30 10:13:48

品牌	Logo	应用领域
飞索 - SPANSION		光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
49页	427K
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Flash, 1MX8, 90ns, PDSO40, PLASTIC, TSOP1-40

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MBM29LV080A-90PTN-E1 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TSOP1
包装说明：	PLASTIC, TSOP1-40	针数：	40
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.51	风险等级：	5.77
最长访问时间：	90 ns	JESD-30 代码：	R-PDSO-G40
长度：	18.4 mm	内存密度：	8388608 bit
内存集成电路类型：	FLASH	内存宽度：	8
湿度敏感等级：	3	功能数量：	1
端子数量：	40	字数：	1048576 words
字数代码：	1000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	1MX8	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSOP1	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	240	编程电压：	3 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.5 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
类型：	NOR TYPE	宽度：	10 mm

MBM29LV080A-90PTN-E1 数据手册

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MBM29LV080A-70/90/12

■ FEATURES

• Address specification is not necessary during command sequence

• Single 3.0 V read, program and erase

Minimizes system level power requirements

• Compatible with JEDEC-standard commands

Uses same software commands as E²PROMs

• Compatible with JEDEC-standard world-wide pinouts

40-pin TSOP (I) (Package suffix: PTN-Normal Bend Type, PTR-Reversed Bend Type)

• Minimum 100,000 program/erase cycles

• High performance

70 ns maximum access time

• Sector erase architecture

16 sectors of 64 K bytes each

Any combination of sectors can be concurrently erased. MBM29LV080A also supports full chip erase.

• Embedded Erase^TM* Algorithms

Automatically pre-programs and erases the chip or any sector

• Embedded Program^TM* Algorithms

Automatically programs and verifies data at specified address

• Data polling and toggle bit feature for detection of program or erase cycle completion

• Ready/Busy output (RY/BY)

Hardware method for detection of program or erase cycle completion

• Automatic sleep mode

When addresses remain stable, automatically switches themselves to low power mode

• Low V^CCwrite inhibit ≤ 2.5 V

• Hardware RESET pin

Resets internal state machine to the read mode

• Erase suspend/resume

Suspends the erase operation to allow a read data and/or program in another sector within the same device

• Sector protection

Hardware method disables any combination of sectors from program or erase operations

• Sector protection set function by extended sector protect command

• Temporary sector unprotection

Temporary sector unprotection via the RESET pin

*: Embedded Erase^TMand Embedded Program^TMare trademarks of Advanced Micro Devices, Inc.

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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MBM29LV080A-90PTV	FUJITSU	8M (1M x 8) BIT	获取价格
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MBM29LV160B-12	SPANSION	FLASH MEMORY CMOS 16M (2M x 8/1M x 16) BIT	获取价格
MBM29LV160B-12	FUJITSU	16M (2M xⅴ 8/1M x 16) BIT	获取价格
MBM29LV160B-12PBT	FUJITSU	16M (2M xⅴ 8/1M x 16) BIT	获取价格

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