是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | DIP | 包装说明: | DIP, DIP28,.6 |
针数: | 28 | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.89 | 最长访问时间: | 100 ns |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | R-PDIP-T28 |
JESD-609代码: | e0 | 内存密度: | 65536 bit |
内存集成电路类型: | STANDARD SRAM | 内存宽度: | 8 |
端子数量: | 28 | 字数: | 8192 words |
字数代码: | 8000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 85 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
组织: | 8KX8 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | DIP |
封装等效代码: | DIP28,.6 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | IN-LINE | 并行/串行: | PARALLEL |
电源: | 5 V | 认证状态: | Not Qualified |
最大待机电流: | 0.0002 A | 最小待机电流: | 2 V |
子类别: | SRAMs | 最大压摆率: | 0.07 mA |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | NO |
技术: | CMOS | 温度等级: | INDUSTRIAL |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子节距: | 2.54 mm | 端子位置: | DUAL |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
MB8464A-10-W | FUJITSU |
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CMOS 65,536 Static Random Access Memory with Data Retention Mode | |
MB8464A-10WC | FUJITSU |
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8KX8 STANDARD SRAM, 100ns, CDIP28, METAL SEALED, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-28 | |
MB8464A-10-WC | FUJITSU |
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Standard SRAM, 8KX8, 100ns, CMOS, CDIP28 | |
MB8464A-10-WC-SK | FUJITSU |
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Standard SRAM, 8KX8, 100ns, CMOS, CDIP28 | |
MB8464A-10WCV | FUJITSU |
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8KX8 STANDARD SRAM, 100ns, CQCC32, METAL SEALED, CERAMIC, LCC-32 | |
MB8464A-10-WCV | FUJITSU |
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Standard SRAM, 8KX8, 100ns, CMOS, CQCC32 | |
MB8464A-15 | FUJITSU |
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CMOS 65,536 Static Random Access Memory with Data Retention Mode | |
MB8464A-15CV | FUJITSU |
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Standard SRAM, 8KX8, 150ns, CMOS, CQCC32 | |
MB8464A-15CV-X | FUJITSU |
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Standard SRAM, 8KX8, 150ns, CMOS, CQCC32 | |
MB8464A-15LCV | FUJITSU |
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Standard SRAM, 8KX8, 150ns, CMOS, CQCC32 |