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MAX9778ETI+

更新时间： 2024-02-11 16:26:51
品牌 Logo 应用领域
罗彻斯特 - ROCHESTER 放大器
页数 文件大小 规格书
28页 1890K
描述
3W, 2 CHANNEL, AUDIO AMPLIFIER, QCC28, 5 X 5 MM, 0.80 MM HEIGHT, LEAD FREE, MO-220WHHD-1, TQFN-28

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MAX9778ETI+ 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
零件包装代码：QFN包装说明：5 X 5 MM, 0.80 MM HEIGHT, LEAD FREE, MO-220WHHD-1, TQFN-28
针数：28Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.77标称带宽：22 kHz
商用集成电路类型：AUDIO AMPLIFIERJESD-30 代码：S-XQCC-N28
JESD-609代码：e3长度：5 mm
湿度敏感等级：NOT SPECIFIED信道数量：2
功能数量：1端子数量：28
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
标称输出功率：3 W封装主体材料：UNSPECIFIED
封装代码：HVQCCN封装形状：SQUARE
封装形式：CHIP CARRIER, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：COMMERCIAL座面最大高度：0.8 mm
最大供电电压 (Vsup)：5.5 V最小供电电压 (Vsup)：4.5 V
表面贴装：YES技术：BICMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：MATTE TIN
端子形式：NO LEAD端子节距：0.5 mm
端子位置：QUAD处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
宽度：5 mmBase Number Matches：1

MAX9778ETI+ 数据手册

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Stereo 3W Audio Power Amplifiers with  
Headphone Drive and Input Mux  
/MAX978  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (continued)  
(V  
= PV  
= 5.±V, GND = PGND = ±V, V  
= 5V, C  
= 1µF, R = R = 15kΩ, R = ∞. T = T  
to T  
, unless otherwise  
MAX  
SHDN  
DD  
DD  
BIAS  
IN  
F
L
A
MIN  
noted. Typical values are at T = +ꢁ5°C.) (Note 1)  
A
PARAMETER  
SYMBOL  
CONDITIONS  
MIN  
TYP  
MAX  
UNITS  
OUTPUT AMPLIFIERS (HEADPHONE MODE, HPS = V  
)
DD  
V
= 4.5V to 5.5V  
75  
1±6  
88  
DD  
Power-Supply Rejection Ratio  
(Note ꢁ)  
PSRR  
f = 1kHz, V  
= ꢁ±±mV  
dB  
RIPPLE  
P-P  
f = ꢁ±kHz, V  
= ꢁ±±mV  
76  
RIPPLE  
P-P  
R
= ꢀꢁΩ  
= 16Ω  
88  
L
L
f
= 1kHz, THD+N <  
IN  
Output Power  
P
mW  
OUT  
1%, T = +ꢁ5°C  
A
R
ꢁ±±  
P
R
= 6±mW,  
= ꢀꢁΩ  
OUT  
±.±±ꢁ  
±.±±ꢁ  
9ꢁ  
L
Total Harmonic Distortion Plus  
Noise  
f
= 1kHz,  
IN  
THD+N  
%
BW = ꢁꢁHz to ꢁꢁkHz  
P
R
= 1ꢁ5mW,  
= 16Ω  
OUT  
L
R
V
= ꢀꢁΩ, BW = ꢁꢁHz to ꢁꢁkHz,  
L
Signal-to-Noise Ratio  
SNR  
SR  
dB  
= 1V  
OUT  
RMS  
Slew Rate  
1.8  
ꢁ
V/µs  
nF  
Maximum Capacitive Load Drive  
Crosstalk  
C
No sustained oscillations  
= 1±kHz  
L
f
78  
dB  
IN  
BIAS VOLTAGE (BIAS)  
BIAS Voltage  
V
R
ꢁ.ꢀ5  
ꢁ
ꢁ.5  
5±  
ꢁ.65  
V
BIAS  
Output Resistance  
kΩ  
BIAS  
1
DIGITAL INPUTS (MUTE, SHDN, HPS_EN, GAINA/B, IN /2)  
Input-Voltage High  
V
V
V
IH  
Input-Voltage Low  
V
±.8  
1
IL  
Input Leakage Current  
HEADPHONE SENSE INPUT (HPS)  
I
µA  
IN  
±.9 x  
Input-Voltage High  
V
V
IH  
V
DD  
±.7 x  
Input-Voltage Low  
V
V
IL  
V
DD  
Input Leakage Current  
I
1
µA  
IN  
Peak voltage, A-weighted,  
ꢀꢁ samples per second  
(Notes ꢁ, 4)  
Into shutdown  
-7±  
-5ꢁ  
Click/Pop Level  
K
dBV  
CP  
Out of shutdown  
_______________________________________________________________________________________  
3
1234567...28

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