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MAC5101CL

更新时间: 2024-02-05 04:09:28
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美高森美 - MICROSEMI 静态存储器
页数 文件大小 规格书
11页 212K
描述
SRAM,

MAC5101CL 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:,
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:3A001.A.2.C
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.84
最长访问时间:130 nsJESD-30 代码:R-CDIP-T22
内存密度:1024 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:4功能数量:1
端口数量:1端子数量:22
字数:256 words字数代码:256
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-55 °C组织:256X4
输出特性:3-STATE可输出:YES
封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE并行/串行:PARALLEL
认证状态:Not Qualified最小待机电流:2 V
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:NO
技术:CMOS温度等级:MILITARY
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

MAC5101CL 数据手册

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