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MA152A

更新时间： 2025-10-12 22:46:31

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松下 - PANASONIC		/
页数	文件大小	规格书
2页	50K
描述
Silicon epitaxial planar type

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MA152A 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SOT-23	包装说明：	R-PDSO-G3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.70
风险等级：	5.81	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	1.2 V	JEDEC-95代码：	TO-236
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	125 °C
最大输出电流：	0.1 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	80 V	最大反向恢复时间：	0.003 µs
子类别：	Rectifier Diodes	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	Base Number Matches：	1

MA152A 数据手册

浏览型号MA152A的Datasheet PDF文件第2页

Switching Diodes

MA3X152A

Silicon epitaxial planar type

Unit : mm

2.8 −⁺0⁰.^.3²

1.5 −⁺0⁰.^.205⁵

For switching circuits

0.65 0.15

0.65 0.15

I Features

1

2

•

•

Short reverse recovery time t_rr

Small terminal capacitance, C_t

3

I Absolute Maximum Ratings T_a= 25°C

Parameter

Reverse voltage (DC)

Peak reverse voltage

Forward current (DC)

Peak forward current

Symbol

V_R

Rating

80

Unit

V

0.1 to 0.3

0.4 0.2

V_RM

I_F

80

V

100

225

500

mA

mA

mA

1 : Cathode

2 : NC

3 : Anode

I_FM

JEDEC : TO-236

EIAJ : SC-59

Mini Type Package (3-pin)

Non-repetitive peak forward

surge current^*

I_FSM

Junction temperature

Storage temperature

T_j

150

°C

°C

Marking Symbol: MB

T_stg

−55 to +150

Internal Connection

Note)

* : t = 1 s

1

2

3

I Electrical Characteristics T_a= 25°C

Parameter

Reverse current (DC)

Forward voltage (DC)

Reverse voltage (DC)

Terminal capacitance

Reverse recovery time^*

Symbol

I_R

Conditions

Min

80

Typ

Max

0.1

Unit

µA

V

V_R= 75 V

V_F

I_F= 100 mA

1.2

V_R

I_R= 100 µA

V

C_t

V_R= 0 V, f = 1 MHz

2

3

pF

ns

t_rr

I_F= 10 mA, V_R= 6 V

I_rr= 0.1 · I_R, R_L= 100 Ω

Note) 1. Rated input/output frequency: 100 MHz

2. * : t_rrmeasuring circuit

Bias Application Unit N-50BU

Input Pulse

t_p

Output Pulse

t_rr

t_r

t

10%

I_F

t

A

90%

V_R

I_rr= 0.1 · I_R

t_p= 2 µs

t_r= 0.35 ns

δ = 0.05

I_F= 10 mA

V_R= 6 V

R_L= 100 Ω

Pulse Generator

(PG-10N)

R_s= 50 Ω

W.F.Analyzer

(SAS-8130)

R_i= 50 Ω

1

12

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