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M5M5256FP-55LL

更新时间： 2024-01-18 11:08:34
品牌 Logo 应用领域
三菱 - MITSUBISHI 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
7页 64K
描述
Standard SRAM, 32KX8, 55ns, CMOS, PDSO28

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M5M5256FP-55LL 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：SOP, SOP28,.5Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.92最长访问时间：55 ns
I/O 类型：COMMONJESD-30 代码：R-PDSO-G28
JESD-609代码：e0内存密度：262144 bit
内存集成电路类型：STANDARD SRAM内存宽度：8
端子数量：28字数：32768 words
字数代码：32000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
组织：32KX8输出特性：3-STATE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：SOP
封装等效代码：SOP28,.5封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE并行/串行：PARALLEL
电源：5 V认证状态：Not Qualified
最小待机电流：2 V子类别：SRAMs
最大压摆率：0.05 mA标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子节距：1.27 mm
端子位置：DUALBase Number Matches：1

M5M5256FP-55LL 数据手册

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'97.4.7  
MITSUBISHI LSIs  
M5M5256DP,FP,VP,RV -45LL,-55LL,-70LL,  
-45XL,-55XL,-70XL  
262144-BIT (32768-WORD BY 8-BIT) CMOS STATIC RAM  
AC ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta = 0~70°C, Vcc=5V±10%, unless otherwise noted )  
(1) MEASUREMENT CONDITIONS  
Input pulse level··················I·HV=2.4V,VIL=0.6V  
Input rise and fall time··········5ns  
Vcc  
1.8kW  
Reference level···················O·VH=VOL=1.5V  
DQ  
Output loads·························Fig.1,CL=30pF (-45LL,-45XL )  
990W  
CL  
CL=50pF (-55LL,-55XL )  
CL=100pF (-70LL,-70XL )  
(Including  
scope and JIG)  
CL=5pF (for ten,tdis)  
Transition is measured ±500mV from steady  
state voltage. (for ten,tdis)  
Fig.1 Output load  
(2) READ CYCLE  
Limits  
-55LL, XL  
Min Max Min Max Min Max  
Unit  
Symbol  
Parameter  
-45LL, XL  
-70LL, XL  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
tCR  
Read cycle time  
Address access time  
Chip select access time  
Output enable access time  
Output disable time after /S high  
45  
55  
70  
ta(A)  
ta(S)  
ta(OE)  
tdis(S)  
45  
45  
25  
15  
15  
55  
55  
30  
20  
20  
70  
70  
35  
25  
25  
tdis(OE) Output disable time after /OE high  
ten(S)  
Output enable time after /S low  
ten(OE) Output enable time after /OE low  
tV(A) Data valid time after address  
5
5
5
5
5
5
10  
10  
10  
(3) WRITE CYCLE  
Limits  
-55LL, XL  
Min Max Min Max Min Max  
-45LL, XL  
-70LL, XL  
Symbol  
Parameter  
Unit  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
tCW  
tw(W)  
tsu(A)  
tsu(A-WH)  
tsu(S)  
tsu(D)  
th(D)  
trec(W)  
tdis(W)  
tdis(OE)  
ten(W)  
ten(OE)  
45  
35  
0
55  
40  
0
70  
50  
0
Write cycle time  
Write pulse width  
Address setup time  
Address setup time with respect to /W high  
Chip select setup time  
Data setup time  
Data hold time  
Write recovery time  
Output disable time from /W low  
Output disable time from /OE high  
Output enable time from /W high  
Output enable time from /OE low  
40  
40  
20  
0
50  
50  
25  
0
65  
65  
30  
0
0
0
0
15  
15  
20  
20  
25  
25  
5
5
5
5
5
5
MITSUBISHI  
ELECTRIC  
4
1234567

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M5M5256FP-55LL-I MITSUBISHI 262144-BIT (32768-WORD BY 8-BIT) CMOS STATIC RAM

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