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M5M417400CJ-6S

更新时间： 2024-01-18 21:44:48
品牌 Logo 应用领域
三菱 - MITSUBISHI /
页数 文件大小 规格书
22页 640K
描述
FAST PAGE MODE 16777216-BIT (4194304-WORD BY 4-BIT) DYNAMIC RAM

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M5M417400CJ-6S 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：SOJ
包装说明：SOJ,针数：24
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.02风险等级：5.35
访问模式：FAST PAGE最长访问时间：60 ns
其他特性：RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESHJESD-30 代码：R-PDSO-J24
长度：17.14 mm内存密度：16777216 bit
内存集成电路类型：FAST PAGE DRAM内存宽度：4
功能数量：1端口数量：1
端子数量：24字数：4194304 words
字数代码：4000000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
组织：4MX4输出特性：3-STATE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：SOJ
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
认证状态：Not Qualified刷新周期：2048
座面最大高度：3.55 mm最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：4.5 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子形式：J BEND
端子节距：1.27 mm端子位置：DUAL
宽度：7.62 mmBase Number Matches：1

M5M417400CJ-6S 数据手册

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MITSUBISHI LSIs  
M5M417400CJ,TP-5,-6,-7,-5S,-6S,-7S  
FAST PAGE MODE 16777216-BIT (4194304-WORD BY 4-BIT) DYNAMIC RAM  
PIN DESCRIPTION  
DESCRIPTION  
Pin name  
Function  
This is a family of 4194304-word by 4-bit dynamic RAMS,  
fabricated with the high performance CMOS process, and is ideal  
for large-capacity memory systems where high speed, low power  
dissipation, and low costs are essential.  
A
~ A  
Address inputs  
0
11  
DQ ~ DQ  
1
Data inputs / outputs  
4
RAS  
CAS  
W
Row address strobe input  
Column address strobe input  
Write control input  
The use of double-layer metal process combined with twin-well  
CMOS technology and a single-transistor dynamic storage stacked  
capacitor cell provide high circuit density at reduced costs.  
Multiplexed address inputs permit both a reduction in pins and an  
increase in system densities.  
OE  
Output enable input  
V
Power supply (+5V)  
CC  
V
Ground (0V)  
SS  
PIN CONFIGURATION (TOP VIEW)  
FEATURES  
RAS  
CAS  
Address  
access  
OE  
Power  
access  
access  
access  
Cycle  
dissipa-  
Type Name  
time  
time  
time  
time  
time  
tion  
(max.ns)  
(max.ns)  
(max.ns)  
(max.ns)  
(min.ns)  
(typ.mW)  
M5M417400CXX-5,-5S  
M5M417400CXX-6,-6S  
M5M417400CXX-7,-7S  
50  
60  
70  
13  
15  
20  
25  
30  
35  
13  
15  
20  
90  
655  
540  
475  
110  
130  
XX=J, TP  
• Standard 26 pin SOJ, 26 pin TSOP  
• Single 5V ± 10% supply  
• Low stand-by power dissipation  
5.5mW(Max)..................................CMOS Input level  
2.2mW (Max)* ...............................CMOS Input level  
• Low operating power dissipation  
M5M417400Cxx-5,-5S .................... 800.0mW (Max)  
M5M417400Cxx-6,-6S .................... 660.0mW (Max)  
M5M417400Cxx-7,-7S .................... 580.0mW (Max)  
Outline 26P0D-B (300mil SOJ)  
•
Self refresh capability *  
self refresh current................................ 200.0 µ A(Max)  
• Fast-page mode, Read-modify-write, RAS-only refresh  
• CAS before RAS refresh, Hidden refresh capabilities  
Early-write mode and OE to control output buffer impedance  
• All inputs, output TTL compatible and low capacitance  
• 2048 refresh cycles every 32ms (A0 ~ A10  
)
*Applicable to self refresh version (M5M417400CJ,TP-5S,-6S,  
-7S :option) only  
APPLICATION  
Main memory unit for computers, Microcomputer memory, Refresh  
memory for CRT  
Outline 26P3D-E (300mil TSOP)  
NC: NO CONNECTION  
1
1234567...22

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与M5M417400CJ-6S相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
M5M417400CJ-6ST MITSUBISHI Fast Page DRAM, 4MX4, 60ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, SOJ-26/24

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M5M417400CJ-6T MITSUBISHI Fast Page DRAM, 4MX4, 60ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, SOJ-26/24

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M5M417400CJ-7 MITSUBISHI FAST PAGE MODE 16777216-BIT (4194304-WORD BY 4-BIT) DYNAMIC RAM

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M5M417400CJ-7S MITSUBISHI FAST PAGE MODE 16777216-BIT (4194304-WORD BY 4-BIT) DYNAMIC RAM

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M5M417400CJ-7ST MITSUBISHI Fast Page DRAM, 4MX4, 70ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, SOJ-26/24

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M5M417400CJ-7T MITSUBISHI Fast Page DRAM, 4MX4, 70ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, SOJ-26/24

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