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M368L3223ETM-CLCC4

更新时间: 2022-12-01 09:22:32
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三星 - SAMSUNG 动态存储器双倍数据速率
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19页 289K
描述
DDR SDRAM Unbuffered Module

M368L3223ETM-CLCC4 数据手册

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256MB, 512MB Unbuffered DIMM  
DDR SDRAM  
256MB, 32M x 72 ECC Module (M381L3223ETM) (Populated as 1 bank of x8 DDR SDRAM Module)  
Functional Block Diagram  
CS0  
DQS0  
DM0  
DQS4  
DM4  
DM  
I/O 7  
CS DQS  
D4  
DQS  
CS  
D0  
DM  
I/O 7  
DQ32  
DQ33  
DQ34  
DQ35  
DQ36  
DQ37  
DQ38  
DQ39  
DQ0  
DQ1  
DQ2  
DQ3  
DQ4  
DQ5  
DQ6  
DQ7  
Serial PD  
I/O 6  
I/O 1  
I/O 0  
I/O 5  
I/O 4  
I/O 3  
I/O 2  
I/O 6  
I/O 1  
I/O 0  
I/O 5  
I/O 4  
I/O 3  
I/O 2  
SCL  
WP  
SDA  
A0  
A1  
A2  
SA0 SA1 SA2  
DQS5  
DM5  
DQS1  
DM1  
DQS  
DM  
CS  
D5  
DQS  
CS  
D1  
DM  
DQ40  
DQ41  
DQ42  
DQ43  
DQ44  
DQ45  
DQ46  
DQ47  
I/O 7  
I/O 6  
I/O 1  
I/O 0  
I/O 5  
I/O 4  
I/O 3  
I/O 2  
DQ8  
DQ9  
I/O 7  
I/O 6  
I/O 1  
I/O 0  
I/O 5  
I/O 4  
I/O 3  
I/O 2  
DQ10  
DQ11  
DQ12  
DQ13  
DQ14  
DQ15  
VDDSPD  
SPD  
VDD/VDDQ  
D0 - D8  
D0 - D8  
VREF  
VSS  
D0 - D8  
D0 - D8  
DQS6  
DM6  
DQS2  
DM2  
DM  
I/O 7  
I/O 6  
I/O 1  
I/O 0  
I/O 5  
I/O 4  
I/O 3  
I/O 2  
CS DQS  
D6  
DM  
I/O 7  
I/O 6  
I/O 1  
I/O 0  
I/O 5  
I/O 4  
I/O 3  
I/O 2  
CS DQS  
D2  
DQ48  
DQ49  
DQ50  
DQ51  
DQ52  
DQ53  
DQ54  
DQ55  
DQ16  
DQ17  
DQ18  
DQ19  
DQ20  
DQ21  
DQ22  
DQ23  
D3/D0/D6  
Cap/Cap/Cap  
D4/D1/D7  
DQS7  
DM7  
DQS3  
DM3  
R=120Ω  
DM  
I/O 7  
I/O 6  
I/O 1  
I/O 0  
I/O 5  
I/O 4  
I/O 3  
I/O 2  
CS DQS  
D7  
DM  
I/O 7  
I/O 6  
I/O 1  
I/O 0  
I/O 5  
I/O 4  
I/O 3  
I/O 2  
CS DQS  
D3  
CK0/1/2  
DQ56  
DQ57  
DQ58  
DQ59  
DQ60  
DQ61  
DQ62  
DQ63  
DQ24  
DQ25  
DQ26  
DQ27  
DQ28  
DQ29  
DQ30  
DQ31  
Card  
Edge  
Cap/Cap/Cap  
D5/D2/D8  
Cap/Cap/Cap  
DQS8  
DM8  
DM  
I/O 7  
I/O 6  
I/O 1  
I/O 0  
I/O 5  
I/O 4  
I/O 3  
I/O 2  
CS  
D8  
DQS  
CB0  
CB1  
CB2  
CB3  
CB4  
CB5  
CB6  
CB7  
Notes :  
BA0 - BA1  
A0 - A12  
RAS  
BA0-BA1 : DDR SDRAMs D0 - D8  
A0-A12 : DDR SDRAMs D0 - D8  
RAS : DDR SDRAMs D0 - D8  
CAS : DDR SDRAMs D0 - D8  
CKE : DDR SDRAMs D0 - D8  
WE : DDR SDRAMs D0 - D8  
Clock Wiring  
1. DQ-to-I/O wiring is shown as recommended  
but may be changed.  
2. DQ/DQS/DM/CKE/CS relationships must be  
maintained as shown.  
3. DQ, DQS, DM/DQS resistors: 22 Ohms + 5%.  
4. BAx, Ax, RAS, CAS, WE resistors: 5.1 Ohms +  
5%  
Clock  
Input  
SDRAMs  
3 SDRAMs  
3 SDRAMs  
3 SDRAMs  
CK0/CK0  
CK1/CK1  
CK2/CK2  
CAS  
CKE0  
WE  
Rev. 1.3 August. 2003  

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